[發明專利]一種SOI MOS器件的熱阻提取方法有效
| 申請號： | 201710021085.5 | 申請日： | 2017-01-12 |
| 公開（公告）號： | CN106802385B | 公開（公告）日： | 2019-03-08 |
| 發明（設計）人： | 卜建輝;王成成;盧劍;羅家俊;韓鄭生 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京華沛德權律師事務所 11302 | 代理人： | 房德權 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 soimos 器件 提取 方法 | ||
1.一種SOI MOS器件的熱阻提取方法，其特征在于，包括：
在第一MOS器件處于非工作狀態時，測試第二MOS器件在不同溫度下的亞閾值斜率，獲得亞閾值斜率標準數據；其中，所述第一MOS器件和所述第二MOS器件之間的距離小于等于預設距離；
在第一環境溫度下，測試當所述第一MOS器件處于工作狀態時，所述第二MOS器件的當前亞閾值斜率；并測試所述第一MOS器件處于工作狀態時的功率值；
根據所述當前亞閾值斜率和所述亞閾值斜率標準數據，確定所述第一MOS器件的當前工作溫度；
根據所述當前工作溫度與所述第一環境溫度的差值和所述功率值，確定所述第一MOS器件的熱阻。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一MOS器件和所述第二MOS器件之間的距離為設計規則要求的最小值。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一MOS器件處于非工作狀態，包括：
所述第一MOS器件的柵端和漏端均懸空。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一MOS器件處于工作狀態，包括：
所述第一MOS器件的柵端和漏端均加上電源電壓。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二MOS器件的溝道寬度為設計規則要求的最小值。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一MOS器件的溝道寬度與所述第二MOS器件的溝道寬度的比值大于10。
7.如權利要求1-6任一所述的方法，其特征在于：
所述確定所述第一MOS器件的熱阻之前，還包括：在所述第一環境溫度下，測試所述第一MOS器件處于工作狀態時的功率值；
所述根據所述當前工作溫度與所述第一環境溫度的差值，確定所述第一MOS器件的熱阻，包括：
所述第一MOS器件的熱阻等于所述差值除以所述功率值。
8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述確定所述第一MOS器件的熱阻之后，還包括：
將所述熱阻乘以所述第一MOS器件的溝道寬度，以歸一化處理獲得歸一化熱阻參數。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院微電子研究所，未經中國科學院微電子研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710021085.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：電子產品測試設備
- 下一篇：一種具有疊層母排的低感測試設備
