[發明專利]一種半導體器件及其制造方法在審
| 申請號： | 201710020962.7 | 申請日： | 2017-01-11 |
| 公開（公告）號： | CN108305897A | 公開（公告）日： | 2018-07-20 |
| 發明（設計）人： | 張海洋;宋以斌;王士京 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/775 | 分類號： | H01L29/775;H01L29/78;H01L21/335;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 董巍;高偉 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米線 半導體器件 材料層 犧牲層 襯底 半導體 鰭片結構 制造 垂直堆疊 交替堆疊 接觸孔 圖案化 電阻 疊層 減小 去除 垂直 | ||
1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供半導體襯底；
在所述半導體襯底上形成交替堆疊設置的犧牲層與納米線材料層；
圖案化所述犧牲層與納米線材料層的疊層，以形成垂直于所述半導體襯底的鰭片結構，所述鰭片結構中納米線材料層的橫截面積由下至上逐層降低；
去除所述犧牲層，以形成多根納米線。
2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述納米線材料層為Ge層或GeSn層。
3.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述納米線材料層為Ge層，所述犧牲層為GeSn層；或者，所述納米線材料層為GeSn層，所述犧牲層為Ge層。
4.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述鰭片結構中，所述納米線材料層的寬度由下至上逐層降低；和/或，所述納米線材料層的厚度由下至上逐層降低。
5.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，去除所述犧牲層的步驟之后，還包括對所述納米線執行圓化處理的步驟。
6.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述圓化處理的方法為熱退火。
7.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于，執行所述圓化處理之后，所述多根納米線的橫截面積由下至上逐根降低。
8.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，去除所述犧牲層的方法為選擇性刻蝕方法。
9.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述多根納米線之后，還包括形成包圍所述多根納米線的柵極結構以及位于所述柵極結構兩側的源漏極的步驟，以及在所述源漏極上方形成接觸孔的步驟。
10.根據權利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述選擇性刻蝕方法為濕法刻蝕。
11.一種半導體器件，其特征在于，包括：
半導體襯底；
在所述半導體襯底上沿垂直方向間隔設置的多根納米線，所述多根納米線的橫截面積由下至上逐根降低。
12.根據權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述納米線為Ge納米線或GeSn納米線。
13.根據權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，還包括包圍所述多根納米線的柵極結構以及位于所述柵極結構兩側的源漏極，所述源漏極上方形成有接觸孔。
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