[發明專利]有機發光二極管裝置及其制作方法

在審

• 申請號: 201710020827.2
• 申請日: 2017-01-11
• 公開（公告）號: CN106876598A
• 公開（公告）日: 2017-06-20
• 發明（設計）人: 謝再鋒
• 申請（專利權）人: 瑞聲科技（南京）有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種有機發光二極管裝置，包括基板、設于所述基板的OLED單元及形成于所述OLED單元表面且用于封裝所述OLED單元的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構包括設置在OLED單元表面的水氧吸收層、涂覆在水氧吸收層表面的無機納米-有機共聚物混合層以及沉積在無機納米-有機共聚物混合層表面的無機阻隔層，所述水氧吸收層含有金屬烷氧物，所述無機納米-有機共聚物混合層由前驅體經水解和致密化反應生成的凝膠固化而成，所述前驅體包括形成金屬烷氧物的第一前驅體。

2.根據權利要求1所述的有機發光二極管裝置，其特征在于，所述無機納米-有機共聚物混合層包含高分子交聯體和通過共價鍵螯合在所述高分子交聯體上的無機納米顆粒。

3.根據權利要求2所述的有機發光二極管裝置，其特征在于，所述無機納米顆粒的通式為M_xO_y或M_xS_y，其中M選自I-VIA主族元素或/和過渡金屬元素。

4.根據權利要求3所述的有機發光二極管裝置，其特征在于，所述無機納米顆粒為TiO₂、Al₂O₃、SiO₂、Sn₂O₃、ZrO、TiS₂、Al₂S₃、SiS₂、SnS₂或S₂Zr中的至少一種；所述無機納米顆粒的折射率大于1.4。

5.根據權利要求2所述的有機發光二極管裝置，其特征在于，所述高分子交聯體為碳鏈聚合物、有機硅聚合物或雜鏈聚合物中的至少一種。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的有機發光二極管裝置，其特征在于，所述無機納米-有機共聚物混合層的厚度為1nm-10μm。

7.根據權利要求6所述的有機發光二極管裝置，其特征在于，所述無機阻隔層由氮化物、碳化物、碳氮化物、氧化物或碳氧化物中的至少一種材料制成，其厚度為1nm-10μm。

8.根據權利要求1所述的有機發光二極管裝置，其特征在于，所述金屬烷氧化物中的金屬元素選自Ⅰ-Ⅵ族金屬元素或過渡金屬元素。

9.根據權利要求8所述的有機發光二極管裝置，其特征在于，所述水氧吸收層的厚度大于等于1A。

10.一種有機發光二極管裝置的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供基板和OLED單元，并將所述OLED單元沉積于所述基板上；

在所述OLED單元外表面涂覆金屬烷氧物形成水氧吸收層；

將第一前驅體、形成硅氧烷的第二前驅體和形成雙功能團有機物的第三前軀體通過濕法旋涂工藝涂覆在所述水氧吸收層表面，發生水解和致密化反應，形成含有納米顆粒的凝膠，將含有納米顆粒的凝膠固化形成無機納米-有機共聚物混合層；

在所述無機納米-有機共聚物混合層上沉積無機阻隔層，所述水氧吸收層、所述無機納米-有機共聚物混合層和所述無機阻隔層形成所述OLED單元的封裝結構。