[發明專利]一種超結器件在審
| 申請號： | 201710020769.3 | 申請日： | 2017-01-12 |
| 公開（公告）號： | CN106711189A | 公開（公告）日： | 2017-05-24 |
| 發明（設計）人： | 楊尊松;王立新;肖超;宋李梅;孫博韜;陸江;羅小夢;羅家俊 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京華沛德權律師事務所11302 | 代理人： | 房德權 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 器件 | ||
1.一種超結器件，其特征在于，所述器件包括：
外延層，所述外延層中有超結結構，所述超結結構為交替設置的多根第一摻雜立柱和多根第二摻雜立柱，其中，所述第一摻雜立柱與所述第二摻雜立柱的摻雜類型不相同；
多個表面結構，所述表面結構包括：第一摻雜阱區和設置在所述第一摻雜阱區內的第二摻雜阱區，所述第一摻雜阱區與所述第二摻雜阱區的摻雜類型不相同；
隔離區，設置在所述超結結構的第一摻雜立柱與所述第一摻雜阱區之間，其中，所述第一摻雜立柱與所述第一摻雜阱區的摻雜類型相同，所述隔離區與所述第二摻雜立柱的摻雜類型相同。
2.如權利要求1所述的器件，其特征在于，所述超結器件為VDMOS器件。
3.如權利要求2所述的器件，其特征在于，所述VDMOS器件為NMOS器件；
所述第一摻雜阱區為P阱區，所述第二摻雜阱區為N阱區，所述第一摻雜立柱為P型立柱，所述所述第二摻雜立柱為N型立柱，所述隔離區為N型摻雜區。
4.如權利要求2所述的器件，其特征在于，所述VDMOS器件為PMOS器件；
所述第一摻雜阱區為N阱區，所述第二摻雜阱區為P阱區，所述第一摻雜立柱為N型立柱，所述所述第二摻雜立柱為P型立柱，所述隔離區為P型摻雜區。
5.如權利要求1所述的器件，其特征在于，所述超結器件為IGBT器件。
6.如權利要求1所述的器件，其特征在于，還包括：
襯底，所述外延層外延生長在所述襯底上。
7.如權利要求6所述的器件，其特征在于，當所述器件為IGBT器件時，所述襯底包括：
連接的N型襯底和P型襯底。
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