[發明專利]檢測非易失性存儲器設備中的擦除失敗字線的方法

有效

• 申請號: 201710020693.4
• 申請日: 2017-01-11
• 公開（公告）號: CN107025944B
• 公開（公告）日: 2021-04-27
• 發明（設計）人: 沈元補
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 范心田

1.一種操作非易失性存儲器設備的方法，所述非易失性存儲器設備包括多個單元串，所述多個單元串中的每一個單元串包括多個存儲器單元，所述方法包括：

向所述多個單元串中的每一個單元串的存儲器單元供應擦除電壓；

通過向連接到所述多個單元串中的每一個單元串的存儲器單元的偶字線施加第一校驗電壓并向連接到所述多個單元串中的每一個單元串的存儲器單元的奇字線施加高電壓來執行第一讀取操作；

通過向連接到所述多個單元串中的每一個單元串的存儲器單元的奇字線施加第一校驗電壓并向連接到所述多個單元串中的每一個單元串的存儲器單元的偶字線施加高電壓來執行第二讀取操作；以及

通過對第一讀取操作的結果和第二讀取操作的結果執行第一異或”XOR”運算來執行第一擦除校驗操作。

2.如權利要求1所述的方法，其中，所述第一擦除校驗操作包括：

在施加等于或高于第一校驗電壓的電壓的情況下，當連接到與所述多個單元串中的每一個單元串的存儲器單元連接的偶字線的存儲器單元的閾值電壓分布不同于連接到與所述多個單元串中的每一個單元串的存儲器單元連接的奇字線的存儲器單元的閾值電壓分布時，將第一擦除校驗操作處理為擦除失敗。

3.如權利要求1所述的方法，其中，所述第一擦除校驗操作包括：

在施加等于或高于第一校驗電壓的電壓的情況下，當連接到與所述多個單元串中的每一個單元串的存儲器單元連接的偶字線的存儲器單元的閾值電壓分布與連接到與所述多個單元串中的每一個單元串的存儲器單元連接的奇字線的存儲器單元的閾值電壓分布相同時，將第一擦除校驗操作處理為擦除通過。

4.如權利要求1所述的方法，其中，所述第一校驗電壓等于擦除的存儲器單元的閾值電壓的上限。

5.如權利要求1所述的方法，其中，所述高電壓是在第一和第二讀取操作期間供應給未選擇的字線的未選擇讀電壓。

6.如權利要求1所述的方法，其中執行所述第一擦除校驗操作包括：

對作為第一XOR運算的結果的第一邏輯值的數目進行計數；

當第一邏輯值的數目大于用于校正非易失性存儲器設備的數據錯誤的錯誤校正單元的可校正位時，將第一擦除校驗操作處理為擦除狀態失敗；以及

當第一邏輯值的數目等于或小于錯誤校正單元的可校正位時，將第一擦除校驗操作處理為擦除狀態通過。

7.如權利要求1所述的方法，還包括：當第一擦除校驗操作被確定為擦除通過時：

通過向連接到所述多個單元串中的每一個單元串的存儲器單元的偶字線施加不同于第一校驗電壓的第二校驗電壓并向連接到所述多個單元串中的每一個單元串的存儲器單元的奇字線施加高電壓來執行第三讀取操作；

通過向連接到所述多個單元串中的每一個單元串的存儲器單元的奇字線施加第二校驗電壓并向連接到所述多個單元串中的每一個單元串的存儲器單元的偶字線施加高電壓來執行第四讀取操作；以及

通過對第三讀取操作的結果和第四讀取操作的結果執行第二XOR運算來執行第二擦除校驗操作。

8.如權利要求7所述的方法，其中，第二校驗電壓小于第一校驗電壓。

9.如權利要求7所述的操作方法，其中，執行第二擦除校驗操作包括：

對作為第二XOR運算的結果的第一邏輯值的數目進行計數；

當第一邏輯值的數目大于錯誤校正單元的可校正位時，將第二擦除校驗操作處理為擦除狀態失敗，并結束擦除操作；以及

當第一邏輯值的數目等于或小于錯誤校正單元的可校正位時，將第二擦除校驗操作處理為擦除狀態通過，并結束擦除操作。