[發(fā)明專利]一種巨介電低損耗CCTO基陶瓷材料及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710020462.3 | 申請日： | 2017-01-11 |
| 公開（公告）號： | CN106673642B | 公開（公告）日： | 2020-12-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 齊世順;程華容;楊魁勇;宋蓓蓓;孫淑英 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京元六鴻遠(yuǎn)電子科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C04B35/465 | 分類號： | C04B35/465;C04B35/626;C04B35/638 |
| 代理公司： | 北京匯信合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11335 | 代理人： | 王秀麗 |
| 地址： | 100070 北京市豐臺*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 巨介電低 損耗 ccto 陶瓷材料 及其 制備 方法 | ||
【說明書】：
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