[發(fā)明專利]一種大尺寸單晶銅箔的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710020397.4
• 申請(qǐng)日: 2017-01-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107904654B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-01-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐小志;張智宏;吳慕鴻;俞大鵬;王恩哥;劉開(kāi)輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京大學(xué)
• 主分類號(hào): C30B1/02
• 分類號(hào): C30B1/02;C30B29/02;C22F1/08
• 代理公司: 11360 北京萬(wàn)象新悅知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 蘇愛(ài)華

1.一種大尺寸單晶銅箔的制備方法，其特征在于，將多晶銅箔的一端形成為尖端，對(duì)多晶銅箔進(jìn)行退火獲得單晶銅箔；

所述方法包括如下步驟：

(一)、將所述多晶銅箔一端形成為尖端平置于耐高溫襯底上，連接傳動(dòng)裝置，放入化學(xué)氣相沉積設(shè)備中，通入惰性氣體，惰性氣體流量為300～500sccm，然后開(kāi)始升溫，所述的惰性氣體為N₂或Ar；

(二)、溫度升至800～1100℃時(shí)，多晶銅箔從尖端開(kāi)始逐漸通過(guò)化學(xué)氣相沉積設(shè)備，開(kāi)始退火過(guò)程；

(三)、生長(zhǎng)結(jié)束后，冷卻至室溫，即得到大尺寸單晶銅箔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將多晶銅箔的一端剪成尖端，連續(xù)通過(guò)加熱區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，多晶銅箔從尖端開(kāi)始連續(xù)通過(guò)加熱區(qū)域的速度為0.01～10cm/min。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述單晶銅箔為Cu(100)或Cu(110)晶面的單晶銅箔。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述尖端是將呈長(zhǎng)條形或長(zhǎng)方形的多晶銅箔去掉其中的任意一個(gè)角，或者同時(shí)去掉沿銅箔寬度方向上兩個(gè)相鄰的角而形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，尖端的形狀是一個(gè)角度為銳角的尖端、一個(gè)角度為鈍角的尖端或一個(gè)梯形的形狀。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，尖端為5－10cm寬，5－20cm長(zhǎng)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

(一)、將所述多晶銅箔一端形成為尖端平置于耐高溫襯底上，連接傳動(dòng)裝置，放入化學(xué)氣相沉積設(shè)備中，通入惰性氣體，惰性氣體流量為300～500sccm，然后開(kāi)始升溫，升溫過(guò)程持續(xù)50～70min，所述的惰性氣體為N₂或Ar；

(二)、溫度升至800～1100℃時(shí)，多晶銅箔從尖端開(kāi)始逐漸通過(guò)化學(xué)氣相沉積設(shè)備，多晶銅箔連續(xù)通過(guò)加熱區(qū)域的速度為0.01～10cm/min，開(kāi)始退火過(guò)程，退火時(shí)間大于1min；

(三)、生長(zhǎng)結(jié)束后，冷卻至室溫，即得到大尺寸單晶銅箔。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，制備出的單晶銅箔的長(zhǎng)度方向尺寸為0.1～50m。