[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光二極管裝置及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710020232.7
• 申請(qǐng)日: 2017-01-11
• 公開（公告）號(hào): CN106848092B
• 公開（公告）日: 2019-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝再鋒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑞聲科技（南京）有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/52
• 分類號(hào): H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種有機(jī)發(fā)光二極管裝置，包括基板、設(shè)于所述基板的OLED單元及形成于所述OLED單元表面且用于封裝所述OLED單元的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在所述OLED單元表面的水氧吸收層、沉積在所述水氧吸收層表面的有機(jī)-無機(jī)漸變層和沉積在所述有機(jī)-無機(jī)漸變層表面的無機(jī)阻隔層，所述有機(jī)-無機(jī)漸變層包括依次沉積形成的有機(jī)層、有機(jī)-無機(jī)混合層和無機(jī)層，其中所述有機(jī)層包裹于所述水氧吸收層外表面，所述無機(jī)阻隔層包裹于所述無機(jī)層外表面，所述水氧吸收層由金屬烷氧化物制成，所述金屬烷氧化物中的金屬元素選自Ⅰ-Ⅵ族金屬元素或過渡金屬元素。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管裝置，其特征在于，所述有機(jī)-無機(jī)混合層包括若干個(gè)依次沉積形成的且有機(jī)相/無機(jī)相混合比例不相同的混合子層，自靠近所述有機(jī)層一側(cè)的混合子層到靠近所述無機(jī)層一側(cè)的混合子層的有機(jī)相/無機(jī)相混合比例逐漸變小，且混合比例范圍為99:1～1:99。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管裝置，其特征在于，所述有機(jī)-無機(jī)漸變層材料為SiO_xC_y、SiC_xN_y、SiO_xN_y或二元硅組合物。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管裝置，其特征在于，所述有機(jī)-無機(jī)漸變層通過等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、原子層沉積、半導(dǎo)體激光沉積或?yàn)R鍍沉積方式成膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管裝置，其特征在于，所述有機(jī)-無機(jī)漸變層的厚度為1nm-10μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光二極管裝置，其特征在于，所述無機(jī)阻隔層由氮化物、碳化物、碳氮化物、氧化物或碳氧化物中的至少一種材料制成，其厚度為1nm-10μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管裝置，其特征在于，所述無機(jī)阻隔層的厚度為1nm-1μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管裝置，其特征在于，所述水氧吸收層的厚度大于等于1A。

9.一種制造權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光二極管裝置的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供基板和OLED單元，并將所述OLED單元沉積于所述基板上；

在所述OLED單元外表面沉積水氧吸收層；

在所述水氧吸收層外表面沉積有機(jī)-無機(jī)漸變層；

在所述有機(jī)-無機(jī)漸變層上沉積無機(jī)阻隔層，所述水氧吸收層、所述有機(jī)-無機(jī)漸變層和所述無機(jī)阻隔層形成所述OLED單元的封裝結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光二極管裝置的制作方法，其特征在于，所述有機(jī)-無機(jī)漸變層的制作步驟包括：

以硅氧烷、O₂/N₂O作為前軀體，通過調(diào)整前軀體的混合比例，并采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方式，形成由有機(jī)相過渡到有機(jī)-無機(jī)混合相，再過渡到無機(jī)相的漸變層結(jié)構(gòu)，形成所述有機(jī)-無機(jī)漸變層。