[發(fā)明專利]用于存取異質(zhì)存儲(chǔ)器的方法及含異質(zhì)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器模塊

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710019237.8
• 申請(qǐng)日: 2017-01-11
• 公開（公告）號(hào): CN107066392A
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林璇渶
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G06F12/02
• 分類號(hào): G06F12/02
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司44224
• 代理人: 劉培培

對(duì)優(yōu)先權(quán)申請(qǐng)的參考

主張?jiān)?016年1月14日在美國(guó)專利與商標(biāo)局提出申請(qǐng)的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)第62/278,610號(hào)、在2016年1月22日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提出申請(qǐng)的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2016-0008210號(hào)、在2016年1月22日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提出申請(qǐng)的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2016-0008214號(hào)以及在2016年3月11日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提出申請(qǐng)的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2016-0029743號(hào)的優(yōu)先權(quán)，所述專利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容并入本文供參考。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明概念涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，且更具體地說(shuō)，涉及用于存取異質(zhì)存儲(chǔ)器的方法及包括異質(zhì)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器模塊。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指利用半導(dǎo)體(例如，硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等)進(jìn)行實(shí)作的存儲(chǔ)器裝置。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置通常被分類為易失性存儲(chǔ)器裝置或非易失性存儲(chǔ)器裝置。

易失性存儲(chǔ)器裝置是指在斷電時(shí)會(huì)丟失存儲(chǔ)在其中的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器裝置。所述易失性存儲(chǔ)器裝置包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(static random access memory，SRAM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dynamic random access memory，DRAM)、同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器等。非易失性存儲(chǔ)器裝置是指即使在斷電時(shí)也能保持存儲(chǔ)在其中的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器裝置。非易失性存儲(chǔ)器裝置包括只讀存儲(chǔ)器(read only memory，ROM)、可編程只讀存儲(chǔ)器(programmable read only memory，PROM)、電可編程只讀存儲(chǔ)器(electrically programmable read only memory，EPROM)、電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(electrically erasable and programmable read only memory，EEPROM)、閃速存儲(chǔ)器裝置、相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(phase-change random access memory，PRAM)、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(magnetic random access memory，MRAM)、電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(resistive random access memory，RRAM)、鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ferroelectric random access memory，F(xiàn)RAM)等。

由于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的反應(yīng)速度及運(yùn)行速度通常非常快，因此動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器被廣泛用作系統(tǒng)的主存儲(chǔ)器。然而，由于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是當(dāng)電源被關(guān)閉時(shí)數(shù)據(jù)會(huì)丟失的易失性存儲(chǔ)器，因此使用單獨(dú)裝置來(lái)保持存儲(chǔ)在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)。此外，由于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用電容器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而單位胞元的大小通常是大的，從而難以在有限的區(qū)域內(nèi)增大動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的容量。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明概念的實(shí)施例提供一種通過(guò)使用非易失性存儲(chǔ)器及易失性存儲(chǔ)器而具有大容量及高性能的非易失性存儲(chǔ)器模塊。

本發(fā)明概念的實(shí)施例的一個(gè)方面涉及提供一種存取易失性存儲(chǔ)器裝置、非易失性存儲(chǔ)器裝置及對(duì)所述易失性存儲(chǔ)器裝置及所述非易失性存儲(chǔ)器裝置進(jìn)行控制的控制器的方法，所述方法包括：由所述控制器在第一定時(shí)經(jīng)由第一線接收與所述易失性存儲(chǔ)器裝置及所述非易失性存儲(chǔ)器裝置相關(guān)聯(lián)的行地址；由所述控制器在第二定時(shí)經(jīng)由第二線接收與所述非易失性存儲(chǔ)器裝置相關(guān)聯(lián)的擴(kuò)展地址；以及由所述控制器在第三定時(shí)經(jīng)由第三線接收與所述非易失性存儲(chǔ)器裝置及所述易失性存儲(chǔ)器裝置相關(guān)聯(lián)的列地址。所述第一線包括所述第二線及所述第三線。

本發(fā)明概念的實(shí)施例的另一方面涉及提供一種存儲(chǔ)器模塊，所述存儲(chǔ)器模塊包括：非易失性存儲(chǔ)器裝置；易失性存儲(chǔ)器裝置；以及控制器，用以控制所述非易失性存儲(chǔ)器裝置及所述易失性存儲(chǔ)器裝置，其中所述控制器在第一定時(shí)經(jīng)由第一線接收與所述易失性存儲(chǔ)器裝置及所述非易失性存儲(chǔ)器裝置相關(guān)聯(lián)的行地址，在第二定時(shí)經(jīng)由第二線接收與所述非易失性存儲(chǔ)器裝置相關(guān)聯(lián)的擴(kuò)展地址，以及在第三定時(shí)經(jīng)由第三線接收與所述非易失性存儲(chǔ)器裝置及所述易失性存儲(chǔ)器裝置相關(guān)聯(lián)的列地址。

本發(fā)明概念的實(shí)施例的又一方面涉及提供一種存取第一類型的高速緩存存儲(chǔ)器及第二類型的主存儲(chǔ)器的方法，所述方法包括：使用多個(gè)序列經(jīng)由與所述第一類型的高速緩存存儲(chǔ)器相關(guān)聯(lián)的地址線將共用地址發(fā)送至所述第一類型的所述高速緩存存儲(chǔ)器及所述第二類型的所述主存儲(chǔ)器；以及