[發明專利]一種光刻膠層的圖案化方法及半導體器件的制作方法

有效

• 申請號: 201710018482.7
• 申請日: 2017-01-10
• 公開（公告）號: CN108288579B
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發明（設計）人: 易旭東;孫曉雁
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/30
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;張建

1.一種光刻膠層的圖案化方法，其特征在于，包括：

在半導體襯底的表面上形成光刻膠層，所述表面能被氧化；

獲取所述光刻膠層在涂覆前的實際等待時間；

根據所述實際等待時間與設定等待時間之間的差值確定所述光刻膠層的實際曝光能量，包括：

基于實驗數據獲得關鍵尺寸與等待時間的關系曲線；

根據所述關鍵尺寸與等待時間的關系曲線，確定與所述實際等待時間對應的第一關鍵尺寸，以及與所述光刻膠層的設定等待時間對應的第二關鍵尺寸；

獲得所述實際曝光能量；

以所確定的實際曝光能量對所述光刻膠層進行曝光，以形成開口或線寬的關鍵尺寸與設定關鍵尺寸一致的圖案化光刻膠層。

2.根據權利要求1所述的光刻膠層的圖案化方法，其特征在于，利用下述公式獲得所述實際曝光能量；

E_實際＝E_設定－(CD1-CD2)*F或者E_實際＝E_設定+(CD1-CD2)*F；

其中，E_實際為所述實際曝光能量，E_設定為所述光刻膠層的設定曝光能量，CD1為所述第一關鍵尺寸，CD2為所述第二關鍵尺寸，F為表示曝光能量與關鍵尺寸關系的常量。

3.根據權利要求2所述的光刻膠層的圖案化方法，其特征在于，還包括：

獲得曝光能量與關鍵尺寸的關系曲線；

根據所述曝光能量與關鍵尺寸的關系曲線獲得預定曝光能量范圍內所述曝光能量與關鍵尺寸的關系曲線的斜率作為所述表示曝光能量與關鍵尺寸關系的常量F。

4.根據權利要求1所述的光刻膠層的圖案化方法，其特征在于，

所述圖案化光刻膠層用作離子注入以在所述半導體襯底內形成輕摻雜源漏的掩膜。

5.根據權利要求4所述的光刻膠層的圖案化方法，其特征在于，所述半導體襯底上形成有柵極，所述實際等待時間為形成所述柵極之后與涂覆所述光刻膠層之間的實際等待時間。

6.根據權利要求4所述的光刻膠層的圖案化方法，其特征在于，所述半導體襯底上形成有第一摻雜類型的輕摻雜源漏，所述實際等待時間為去除用作離子注入以形成所述第一摻雜類型的輕摻雜源漏的掩膜的圖案化光刻膠層之后，與涂覆用作離子注入以在所述半導體襯底內形成第二摻雜類型的輕摻雜源漏的掩膜的所述圖案化光刻膠層之間的實際等待時間，所述第二摻雜類型與第一摻雜類型相反。

7.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

采用如權利要求1所述的光刻膠層的圖案化方法，在所述半導體襯底上形成第一圖案化光刻膠層；

以所述第一圖案化光刻膠層為掩膜進行第一輕摻雜離子注入，以在所述半導體襯底內形成第一摻雜類型的輕摻雜源漏。

8.如權利要求7所述的制作方法，其特征在于，還包括：

去除所述第一圖案化光刻膠層；

采用如權利要求1所述的制作方法，在所述半導體襯底上形成第二圖案化光刻膠層；

以所述第二圖案化光刻膠層為掩膜進行第二輕摻雜離子注入，以在所述半導體襯底內形成第二摻雜類型的輕摻雜源漏，所述第二摻雜類型與第一摻雜類型相反；

去除所述第二圖案化光刻膠層。

9.如權利要求7所述的制作方法，其特征在于，采用如權利要求1所述的方法之前，在所述半導體襯底上形成柵極，所述第一摻雜類型的輕摻雜源漏位于所述柵極的兩側。