[發明專利]一種TFT制程工藝的電學性能測試方法

有效

• 申請號: 201710018419.3
• 申請日: 2017-01-10
• 公開（公告）號: CN106653641B
• 公開（公告）日: 2019-05-10
• 發明（設計）人: 楊毅;楊瑞鋒;楊華旭;趙天笑
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L29/786
• 代理公司: 北京風雅頌專利代理有限公司 11403
• 代理人: 李陽;李浩

本發明公開一種TFT制程工藝的電學性能測試方法，使TFT器件工作于線性區，對控制極施加第一電壓，測第二極的第一電容值；對控制極施加第二電壓，測第二極的第二電容值，第一電容值與第二電容值的差為線性區電容變化值；使TFT器件工作于飽和區，對控制極施加第一電壓，測第二極的第三電容值，對控制極施加第二電壓，測第二級的第四電容值，第三電容值和第四電容值的差為飽和區電容變化值；改變飽和電壓測相應飽和區電容變化值，建立每組飽和區電容變化值與線性區電容變化值的比值和對應飽和電壓的關系，獲得與斜率拐點對應的比值，求得第二極與控制極重疊區域的損傷比重。從而，本發明能夠對TFT器件溝道不均勻損傷及缺陷進行定量分析。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別是指一種TFT制程工藝的電學性能測試方法。

背景技術

目前，薄膜晶體管器件(TFT器件)是液晶顯示器中的一個關鍵組成部件，用來主動控制每一個顯示像素，多個TFT組成的陣列系統就構成了一個TFT液晶玻璃。TFT器件是一個三端器件，其在LCD中充當開關的作用，利用施加于柵極的電壓來控制源極、漏極之間的電流，從而達到開啟或關閉顯示像素的作用。

隨著器件小型化的發展，器件溝道越來越短，其工藝難度也隨之增加，在柵極部分存在柵源重疊區域和柵漏重疊區域，因此衡量TFT器件的溝道特性也越來越困難。現有技術主要利用掃描電子顯微鏡和透射電鏡等來獲得器件溝道處的影響，但這難以定量的來分析TFT器件溝道處的工藝水平及制程損失對器件的影響，進而無法對制程工藝提出管控與改進。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的在于提出一種TFT制程工藝的電學性能測試方法，通過得到TFT器件溝道不均勻損傷及缺陷的定量分析，從而解決無法對TFT器件制程工藝提出管控與改進的問題。

基于上述目的本發明提供的一種TFT制程工藝的電學性能測試方法，包括：

將TFT器件的第一極接地；

使TFT器件工作于線性區，對所述TFT器件的控制極施加第一電壓，測量所述TFT器件的第二極的第一電容值；對所述控制極施加第二電壓，測量所述第二極的第二電容值，所述第一電容值與所述第二電容值的差作為線性區電容變化值；

對所述第二極施加飽和電壓，使TFT器件工作于飽和區，對所述控制極施加所述第一電壓，測量所述第二極的第三電容值，對所述控制極施加所述第二電壓，測量所述第二級的第四電容值，所述第三電容值和所述第四電容值的差值作為飽和區電容變化值；

改變所述飽和電壓的大小，測量相應的飽和區電容變化值；

記錄每組飽和區電容變化值與線性區電容變化值的比值，建立所述比值與對應的所述飽和電壓的函數關系，獲得與斜率拐點對應的所述比值；

根據斜率拐點對應的所述比值，求得所述第二極與所述控制極重疊區域的損傷比重。

在本發明的一些實施例中，所述控制極為柵極；

所述第一極為源極，所述第二極為漏極；或所述第一極為漏極，所述第二極為源極。

在本發明的一些實施例中，包括：

將斜率拐點對應的所述比值與1的差值作為所述第二極與所述控制極重疊區域的損傷比重。

在本發明的一些實施例中，所述斜率拐點等于預設的斜率閾值。

在本發明的一些實施例中，在所述TFT器件工作于飽和區時，還包括：

在所述飽和區內選取所述第二極上等于或大于預設飽和電壓閾值的每組飽和電壓間隔大于所述第二極上小于預設飽和電壓閾值的每組飽和電壓間隔。

在本發明的一些實施例中，還包括：

所述的預設飽和電壓閾值小于所述斜率拐點對應的飽和電壓。