[發明專利]調諧共振器的方法、形成共振器的空腔的方法及濾波器有效
| 申請號： | 201710018327.5 | 申請日： | 2017-01-10 |
| 公開（公告）號： | CN108288960B | 公開（公告）日： | 2022-02-25 |
| 發明（設計）人： | 張家達;魏君如;翁國隆 | 申請（專利權）人： | 穩懋半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H03H9/17 | 分類號： | H03H9/17;H03H9/56;H03H9/02;H03H3/02 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 馬雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 調諧 共振器 方法 形成 空腔 濾波器 | ||
1.一種形成體聲波共振器的空腔的方法，包括以下步驟：
步驟A1：形成一犧牲磊晶結構臺面于一化合物半導體基板之上；
步驟A2：形成一絕緣層于所述犧牲磊晶結構臺面以及所述化合物半導體基板之上；
步驟A3：以一化學機械平坦化制程研磨所述絕緣層以形成一拋光表面，其中所述絕緣層被研磨至使得所述犧牲磊晶結構臺面未露出；
步驟A4：形成一體聲波共振結構于所述拋光表面之上，其中所述體聲波共振結構位于所述犧牲磊晶結構臺面之上，其中所述步驟A4包括以下步驟：
步驟A41：形成一底電極層于所述拋光表面之上；
步驟A42：形成一壓電層于所述底電極層之上；以及
步驟A43：形成一頂電極層于所述壓電層之上；以及
步驟A5：蝕刻所述犧牲磊晶結構臺面以形成一空腔，其中所述空腔位于所述體聲波共振結構之下，其中介于所述底電極層以及所述犧牲磊晶結構臺面之間的所述絕緣層形成一頻率調諧結構，其中所述頻率調諧結構具有一厚度，所述體聲波共振結構具有一共振頻率，從而通過調整所述頻率調諧結構的所述厚度，可調諧所述體聲波共振結構的所述共振頻率。
2.根據權利要求1所述的形成體聲波共振器的空腔的方法，還包括一形成一底蝕刻終止層于所述化合物半導體基板之上的步驟，其中所述犧牲磊晶結構臺面形成于所述底蝕刻終止層之上；其中所述犧牲磊晶結構臺面包括一犧牲磊晶層。
3.根據權利要求2所述的形成體聲波共振器的空腔的方法，其中(1)所述化合物半導體基板由砷化鎵所構成；所述犧牲磊晶層由砷化鎵所構成；所述底蝕刻終止層由磷化銦鎵所構成；或(2)所述化合物半導體基板由磷化銦所構成；所述犧牲磊晶層由砷化銦鎵所構成；所述底蝕刻終止層由磷化銦所構成。
4.根據權利要求2所述的形成體聲波共振器的空腔的方法，其中所述犧牲磊晶層具有一厚度，所述犧牲磊晶層的所述厚度介于50nm以及5000nm之間；其中所述底蝕刻終止層具有一厚度，所述底蝕刻終止層的所述厚度介于20nm以及500nm之間。
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