[發明專利]基板處理系統和方法有效
| 申請號: | 201710017381.8 | 申請日: | 2012-11-08 |
| 公開(公告)號: | CN106847736B | 公開(公告)日: | 2020-08-11 |
| 發明(設計)人: | T·佩德森;H·希斯爾邁爾;M·春;V·普拉巴卡;B·阿迪博;T·布盧克 | 申請(專利權)人: | 因特瓦克公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L21/68;H01L31/18 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 陳松濤;王英 |
| 地址: | 美國加*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 系統 方法 | ||
1.一種基板處理系統,包括:
真空外殼;
處理室,其附接到所述真空外殼并在所述真空外殼內限定處理區;
第一軌道組件,其被安置于所述真空外殼內部在所述處理室的一側上;
第一升高機構,其耦合到所述第一軌道組件并被配置成將所述第一軌道組件提升到升高后的位置以及將所述第一軌道組件降低到較低的位置;
第二軌道組件,其被安置于所述真空外殼內部在所述第一軌道組件的相對側上;
第二升高機構,其耦合到所述第二軌道組件并被配置成將所述第二軌道組件提升到升高后的位置以及將所述第二軌道組件降低到較低的位置;
第一懸臂式架子,其被配置為騎行在所述第一軌道組件上;
第二懸臂式架子,其被配置為騎行在所述第二軌道組件上;
多個卡盤,所述多個卡盤位于所述第一懸臂式架子和所述第二懸臂式架子上;
其中,當所述第一升高機構和所述第二升高機構均呈現升高后的位置時,所有的所述卡盤均是水平的并且在同一水平上,但是當所述第一升高機構和所述第二升高機構中的一個升高機構呈現較低的位置時,所述第一懸臂式架子和所述第二懸臂式架子中的一個懸臂式架子上的卡盤是水平的并且能夠在所述第一懸臂式架子和所述第二懸臂式架子中的另一個懸臂式架子之下通過。
2.如權利要求1所述的系統,其中所述第一懸臂式架子和所述第二懸臂式架子中的每個懸臂式架子分別具有騎行在所述第一軌道組件和所述第二軌道組件上的驅動組件。
3.如權利要求2所述的系統,其中所述第一懸臂式架子和所述第二懸臂式架子中的每個懸臂式架子還包括自由站立支撐組件,在所述自由站立支撐組件上附接有所述多個卡盤,并且所述自由站立支撐組件從相應的驅動組件懸臂式向外伸展。
4.如權利要求3所述的系統,其中,當所述第一軌道組件和所述第二軌道組件之一處于所述較低的位置時,相應的驅動組件的自由站立支撐組件能夠在另一驅動組件的自由站立支撐組件之下經過。
5.如權利要求3所述的系統,其中,當所述第一軌道組件和所述第二軌道組件兩者均在較高的位置上時,位于兩個自由站立支撐組件上的所述多個卡盤在行進方向上對齊。
6.如權利要求1所述的系統,其中,所述處理室包括離子注入室。
7.如權利要求6所述的系統,其中,所述處理區包括離子束,并且其中,所述處理區總是被至少一個基板占據,使得所述室從不處于閑置模式中,而相反所述室總是正在處理至少一個基板。
8.如權利要求7所述的系統,其中,所述基板在所述離子束之下經過,使得當所述基板穿過所述離子束時對所述基板進行注入。
9.如權利要求6所述的系統,其中,所述離子束被形成為寬的帶,使得所述離子束能夠同時覆蓋若干個基板的部分。
10.如權利要求6所述的系統,還包括放置在所述離子束的路徑中的掩模。
11.如權利要求10所述的系統,其中,所述掩模包括梳狀區段,使得只有離子的細束被允許傳送到所述基板,從而以直線對所述基板進行摻雜。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





