[發(fā)明專利]改變GaAs/AlGaAs中Rashba自旋軌道耦合隨溫度變化的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710016992.0
• 申請(qǐng)日: 2017-01-11
• 公開（公告）號(hào): CN106654003B
• 公開（公告）日: 2019-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 俞金玲;曾曉琳;程樹英;陳涌海;賴云鋒;鄭巧
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福州大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L43/12
• 分類號(hào): H01L43/12
• 代理公司: 福州元?jiǎng)?chuàng)專利商標(biāo)代理有限公司 35100
• 代理人: 蔡學(xué)俊

1.一種改變GaAs/AlGaAs中Rashba自旋軌道耦合隨溫度變化的方法，其特征在于：包括以下步驟：

步驟S1：用分子束外延設(shè)備生長(zhǎng)GaAs/AlGaAs半導(dǎo)體二維電子氣樣品，并沉積銦電極；

步驟S2：調(diào)整光路，使激光光斑位于樣品兩個(gè)電極中間，激光的入射角度為30°；

步驟S3：使入射激光波長(zhǎng)為1064nm，將樣品置于杜瓦瓶中，控制樣品溫度由77K至室溫300K變化，測(cè)量樣品隨溫度變化的Rashba自旋軌道耦合引起的圓偏振光致電流；

步驟S4：使入射激光波長(zhǎng)為532nm，將樣品置于杜瓦瓶中，控制樣品溫度由77K至室溫300K變化，測(cè)量樣品隨溫度變化的Rashba自旋軌道耦合引起的圓偏振光致電流。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改變GaAs/AlGaAs中Rashba自旋軌道耦合隨溫度變化的方法，其特征在于：所述步驟S1中用分子束外延設(shè)備生長(zhǎng)GaAs/AlGaAs半導(dǎo)體二維電子氣樣品具體為：用分子束外延法在GaAs襯底上生長(zhǎng)半導(dǎo)體量子阱樣品；樣品的生長(zhǎng)過程為：首先在樣品上生長(zhǎng)10個(gè)周期GaAs/Al_0.3Ga_0.7As超晶格作為緩沖層，再生長(zhǎng)大于1μm的GaAs緩沖層，然后生長(zhǎng)30nm厚的Al_0.3Ga_0.7As，進(jìn)行Si-δ摻雜后再生長(zhǎng)50nm厚的Al_0.3Ga_0.7As，最后生長(zhǎng)10nm厚的GaAs；在 GaAs/AlGaAs異質(zhì)結(jié)的界面上形成二維電子氣。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改變GaAs/AlGaAs中Rashba自旋軌道耦合隨溫度變化的方法，其特征在于：所述步驟S3與步驟S4中，樣品溫度的控制通過杜瓦瓶和溫控箱組成的溫控系統(tǒng)。