[發明專利]裝置及相關聯方法

有效

• 申請號: 201710016987.X
• 申請日: 2017-01-10
• 公開（公告）號: CN106992168B
• 公開（公告）日: 2022-05-24
• 發明（設計）人: 馬克·安杰伊·加赫達;巴里·懷恩
• 申請（專利權）人: 安世有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 麥善勇;張天舒

1.一種半導體設備，其特征在于包括：

由III-V半導體材料制成的晶片；

集成于所述晶片中的二維電子氣區的電阻器元件，所述電阻器元件包括由所述晶片的所述III-V半導體材料中的第一植入材料界定的跡線，所述跡線通過環繞所述跡線的隔離區與所述晶片的剩余部分電隔離；

所述隔離區由所述晶片的所述III-V半導體材料中的第二植入材料界定，并且所述跡線由所述晶片的具有第一濃度的所述第一植入材料的一部分界定，并且所述隔離區由所述晶片的環繞所述跡線并具有高于所述第一濃度的第二濃度的所述第二植入材料的一部分界定，

所述植入材料部分毀壞所述二維電子氣區和/或修改所述二維電子氣區中的電荷載子的濃度，從而可實現所述二維電子氣區的薄層電阻的局部增大以界定所述電阻器元件。

2.根據權利要求1所述的半導體設備，其特征在于所述半導體設備在所述晶片上包括另一集成組件，所述另一集成組件包括形成于所述晶片的表面上的至少一個接合焊盤以實現至所述另一集成組件的連接，所述電阻器元件至少部分直接布置于所述至少一個接合焊盤下方。

3.根據權利要求2所述的半導體設備，其特征在于所述電阻器元件包括第一端子和第二端子，其中所述跡線于其間延伸以在所述第一端子與所述第二端子之間提供電阻性通路，并且其中電連接提供于所述電阻器元件的所述第一端子和所述第二端子中的一者與所述接合焊盤之間。

4.根據權利要求3所述的半導體設備，其特征在于所述另一集成組件是具有源極接合焊盤、漏極接合焊盤和柵極接合焊盤的HEMT，所述電阻器元件的所述第一端子連接至所述柵極接合焊盤，并且所述電阻器元件的所述第二端子連接至所述源極接合焊盤。

5.一種包括根據權利要求1至4中的任一項所述的半導體設備的半導體封裝。

6.一種包括根據權利要求1至4中的任一項所述的半導體設備或根據權利要求5所述的半導體封裝的電子設備。

7.一種形成集成電阻器元件的方法，其特征在于包括：

通過離子植入將第一植入材料的離子植入到由III-V半導體材料制成的晶片中以界定用于形成所述電阻器元件的跡線；其中，所述電阻器元件位于所述晶片中的二維電子氣區；

使所述跡線與所述晶片的剩余部分電隔離，從而形成環繞所述跡線的隔離區；

所述電隔離步驟包括通過將第二植入材料植入到所述晶片的所述III-V半導體材料中來電隔離，并且所述第一植入材料和所述第二植入材料是相同材料，并且所述方法包括植入比所述隔離區低劑量的所述植入材料的所述離子以形成所述跡線，

所述植入材料部分毀壞所述二維電子氣區和/或修改所述二維電子氣區中的電荷載子的濃度，從而可實現所述二維電子氣區的薄層電阻的局部增大以界定所述電阻器元件。