[發(fā)明專利]一種電容式微電子氣壓傳感器及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710016949.4 | 申請日： | 2017-01-11 |
| 公開（公告）號： | CN106744651A | 公開（公告）日： | 2017-05-31 |
| 發(fā)明（設計）人： | 蔡春華;朱念芳;齊本勝;談俊燕;華迪;曹元;王海濱 | 申請（專利權）人： | 河海大學常州校區(qū) |
| 主分類號： | B81B7/02 | 分類號： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京縱橫知識產權代理有限公司32224 | 代理人： | 劉艷艷,董建林 |
| 地址： | 213022 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 電容 式微 電子 氣壓 傳感器 及其 制備 方法 | ||
1.一種電容式微電子氣壓傳感器，其特征在于：包括單晶硅密封腔體和基于上下兩電極間距離變化量的電容式氣壓傳感器；
以單晶硅作為襯底，通過單晶硅外延封腔工藝形成密封腔體結構；通過濺射，光刻，腐蝕工藝，在密封腔上表面的依次生長電容器下電極、犧牲層、上電極；最后在對電容器上電極、電容器下電極進行保護的同時，對犧牲層進行各向同性的腐蝕，去除犧牲層；在單晶硅襯底上設置有金屬焊盤和引線用來分別引出電容器的上電極、下電極。
2.根據權利要求1所述的電容式微電子氣壓傳感器，其特征在于：所述單晶硅襯底上表面依次生長有氧化硅和氮化硅，并光刻、腐蝕形成接觸孔。
3.根據權利要求1所述的電容式微電子氣壓傳感器，其特征在于：所述電容器下電極、上電極、引線及焊盤的材質均為金屬。
4.根據權利要求1所述的電容式微電子氣壓傳感器，其特征在于：所述電容器下電極、上電極、引線及焊盤的材質均為Al。
5.根據權利要求1所述的電容式微電子氣壓傳感器，其特征在于：所述犧牲層的材質為磷硅玻璃。
6.根據權利要求1所述的電容式微電子氣壓傳感器，其特征在于：單晶硅襯底中的密封腔體高度為4-6μm。
7.根據權利要求1-6任一項所述的電容式微電子氣壓傳感器的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
步驟1）、采用N型單晶硅作為襯底，通過各向異性反應離子刻蝕工藝在單晶硅襯底上刻蝕淺槽；
步驟2）、在對單晶硅襯底淺槽側壁進行保護的同時，對單晶硅襯底進行各向同性腐蝕，為接下來的外延單晶硅封腔工藝做準備；
步驟3）、外延生長單晶硅，在單晶硅襯底內部形成密封腔體；
步驟4）、在單晶硅襯底上表面依次生長氧化硅和氮化硅，并光刻、腐蝕形成接觸孔；
步驟5）、在氮化硅表面濺射第一層金屬，光刻、腐蝕形成焊盤、電互連線以及電容器下電極；
步驟6）、在氮化硅和第一層金屬上濺射犧牲層材料，光刻、腐蝕形成犧牲層；
步驟7）、在氮化硅和犧牲層上濺射第二層金屬，光刻、腐蝕形成焊盤、電互連線以及電容器上電極，并在電容器上電極上開設有多個通孔，作為腐蝕電容器上下電極間犧牲層的窗口；
步驟8）、在對電容器上電極、電容器下電極進行保護的同時，對犧牲層進行各向同性的腐蝕，露出電容器下極板的引線及焊盤。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于河海大學常州校區(qū)，未經河海大學常州校區(qū)許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710016949.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
