[發(fā)明專利]一種低功耗低溫度系數(shù)的電壓基準(zhǔn)源電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710016488.0
• 申請(qǐng)日: 2017-01-10
• 公開（公告）號(hào): CN106547300B
• 公開（公告）日: 2017-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 段志奎;陳建文;吳江旭;王興波;譚海曙;朱珍;于昕梅;樊耘;楊發(fā)權(quán);肖永豪;周月霞
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佛山科學(xué)技術(shù)學(xué)院
• 主分類號(hào): G05F1/567
• 分類號(hào): G05F1/567
• 代理公司: 佛山市永裕信專利代理有限公司44206
• 代理人: 楊啟成

1.一種低功耗低溫度系數(shù)的電壓基準(zhǔn)源電路，包括PTAT電流產(chǎn)生電路和負(fù)載電路；PTAT電流產(chǎn)生電路與負(fù)載電路一端相連，基準(zhǔn)電壓源由所述負(fù)載電路輸出，其特征在于所述PTAT電流產(chǎn)生電路由PM0、PM1、PM2、PM3、NM0、NM1、NM2、NM3、NM5和NM6組成，PM0、PM1、PM2、PM3為PMOS管，NM0、NM1、NM2、NM3、NM5和NM6為NMOS管，PM0漏極d與NM3漏極d連接，PM0柵極g與PM2柵極d連接，PM0源極s與電源VDD連接，PM0襯底與電源VDD相連；PM1漏極d與其柵極g連接，PM1源極s與電源VDD連接，PM1襯底接電源VDD；PM2漏極d與其柵極g連接，PM2源極s與電源VDD連接，PM2襯底與電源VDD連接；PM3漏極d與NM1漏極d連接，PM3柵極g與PM1柵極g連接，PM3源極s與電源VDD連接，PM3襯底與電源VDD連接；NM0漏極d與PM1漏極d連接，NM0柵極g與NM3柵極g連接，NM0源極s與NM6漏極d連接，NM0襯底接地GND；NM1漏極d與其柵極g連接，NM1源極s接地GND，NM1襯底接地GND；NM2漏極d與PM2漏極d連接，NM2柵極g與NM1柵極g連接，NM2源極s與NM5漏極d連接，NM2襯底接地GND；NM3漏極d與其柵極g連接，NM3源極s接地GND，襯底接地GND；NM5漏極d與NM2源極s連接，NM5柵極g與NM1柵極g連接，NM5源極s接地GND，接地GND襯底接地GND；NM6漏極d與NM2源極s連接，NM6柵極g與NM3柵極g連接，NM6源極s接地GND，NM6襯底與地GND連接,所述負(fù)載電路由PM4和NM4組成,PM4漏極d與NM4漏極d連接，PM4柵極g與PM3柵極g連接，PM4源極s與電源VDD連接，PM4襯底與電源VDD連接，NM4漏極d與其柵極g連接，NM4源極s接地GND，NM4襯底與地GND連接,所述基準(zhǔn)電壓由NM4漏極d輸出，NM0、NM1、NM2、NM3的NMOS管的物理性能是這樣的，NM0、NM1、NM2、NM3的V_th(閥值電壓)均不相同，而且，V_th3-V_th0= V_th1-V_th2，NM0的漏極電流I₀等于NM2的漏極電流I₂，NM1的漏極電流I₁等于NM3的漏極電流I₃。