[發明專利]一種轉換裝置、方法及系統在審
| 申請號: | 201710015878.6 | 申請日: | 2017-01-10 |
| 公開(公告)號: | CN106712277A | 公開(公告)日: | 2017-05-24 |
| 發明(設計)人: | 王曉峰;高思明 | 申請(專利權)人: | 鄭州云海信息技術有限公司 |
| 主分類號: | H02J9/06 | 分類號: | H02J9/06 |
| 代理公司: | 濟南信達專利事務所有限公司37100 | 代理人: | 李世喆 |
| 地址: | 450000 河南省鄭州市*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 轉換 裝置 方法 系統 | ||
技術領域
本發明涉及電子技術領域,特別涉及一種轉換裝置、方法及系統。
背景技術
服務器主板是服務器中最重要的部件之一,其內部包括各種元件。
目前,在整個服務器主板中,有部分相連的元件具有一定的供電時序,也就是上游元件的供電電壓會作為與其相鄰的下游元件的驅動電壓。
但是,在這個供電時序中,有部分元件的供電電壓較低,不能作為與其相鄰的下游元件的驅動電壓。比如,元件1的供電電壓為1.26V,而與其相鄰的下游的元件2的驅動電壓為3.3V,可見元件1的供電電壓為1.26V是不能作為元件2的驅動電壓的。因此,元件不能正常工作的可能性較高。
發明內容
本發明提供了一種轉換裝置、方法及系統,能夠降低元件不能正常工作的可能性。
第一方面,本發明提供了一種轉換裝置,該裝置包括:第一開關模塊和第二開關模塊;
所述第一開關模塊,分別與外部的第一電源和外部的上游元件相連,用于當接收到所述上游元件傳輸的第一電壓時,停止將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述第二開關模塊;
所述第二開關模塊,分別與外部的第二電源以及外部的下游元件相連,用于在未接收到所述第一電源提供的第二電壓時,利用所述第二電源提供的第三電壓為所述下游元件供電,以對所述下游元件進行驅動,其中所述第三電壓大于所述第一電壓。
優選地,所述第一開關模塊,包括:第一三極管、第一NMOS管和第一PMOS管中的任意一種;
當所述第一開關模塊包括所述第一三極管時,
所述第一三極管的基極與所述上游元件相連,所述第一三極管的集電極分別與所述第一電源和所述第二開關模塊相連,所述第一三極管的發射極分別與地線和所述第二開關模塊相連;當接收到所述上游元件傳輸的第一電壓時,所述第一三極管的基極與發射極導通,將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述地線,停止將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述第二開關模塊;
當所述第一開關模塊包括所述第一NMOS管時,
所述第一NMOS管的柵極與所述上游元件相連,所述第一NMOS管的源極分別與地線和所述第二開關模塊相連,所述第一NMOS管的漏極分別與所述第一電源和所述第二開關模塊相連;當接收到所述上游元件傳輸的第一電壓時,所述第一NMOS管的源極與漏極導通,將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述地線,停止將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述第二開關模塊;
當所述第一開關模塊包括所述第一PMOS管時,
所述第一PMOS管的源極與所述上游元件相連,所述第一PMOS管的柵極分別與地線和所述第二開關模塊相連,所述第一PMOS管的漏極分別與所述第一電源和所述第二開關模塊相連;當接收到所述上游元件傳輸的第一電壓時,所述第一PMOS管的柵極與漏極導通,將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述地線,停止將所述第一電源提供的第二電壓傳輸給所述第二開關模塊。
優選地,所述第一開關模塊,進一步包括:電阻;
當所述第一開關模塊包括所述第一三極管時,
所述電阻的第一端與所述上游元件相連,所述電阻的第二端與所述第一三極管的基極相連;
當所述第一開關模塊包括所述第一NMOS管時,
所述電阻的第一端與所述上游元件相連,所述電阻的第二端與所述第一NMOS管的柵極相連;
當所述第一開關模塊包括所述第一PMOS管時,
所述電阻的第一端與所述上游元件相連,所述電阻的第二端與所述第一PMOS管的源極相連。
優選地,所述第一開關模塊,進一步包括:第一電容;
當所述第一開關模塊包括所述第一三極管時,
所述第一電容的一端分別與所述上游元件以及所述電阻的第一端相連,所述第一電容的另一端分別與所述第一三極管的發射極、所述地線以及所述第二開關模塊相連;
當所述第一開關模塊包括所述第一NMOS管時,
所述第一電容的一端分別與所述上游元件以及所述電阻的第一端相連,所述第一電容的另一端分別與所述第一NMOS管的源極、所述地線以及所述第二開關模塊相連;
當所述第一開關模塊包括所述第一PMOS管時,
所述第一電容的一端分別與所述上游元件以及所述電阻的第一端相連,所述第一電容的另一端分別與所述第一PMOS管的柵極、所述地線以及所述第二開關模塊相連。
優選地,所述第二開關模塊,包括:第二三極管、第二NMOS管和第二PMOS管中的任意一種;
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