[發明專利]一種液晶顯示模組

有效

• 申請號: 201710015852.1
• 申請日: 2017-01-10
• 公開（公告）號: CN106842700B
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發明（設計）人: 鐘彩嬌;周婷;沈柏平
• 申請（專利權）人: 廈門天馬微電子有限公司
• 主分類號: G02F1/13357
• 分類號: G02F1/13357
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆;胡彬

1.一種液晶顯示模組，其特征在于，包括：位于顯示區中部的第一區域，圍繞所述第一區域的第二區域，所述第二區域的內邊緣與所述第一區域邊緣重合，所述顯示區邊緣與所述第二區域的外邊緣重合或位于所述第二區域的外邊緣內；

所述液晶顯示模組包括陣列基板和背光模組，所述陣列基板包括基板和設置于所述基板一側的目標膜層，所述目標膜層與光的干涉強相關；

所述背光模組位于所述陣列基板遠離所述目標膜層的一側，所述背光模組包括藍光背光源和設置于所述藍光背光源與所述陣列基板之間的量子點色彩增強膜；所述量子點色彩增強膜包括周邊區域，所述周邊區域的顯示色度偏藍；所述第二區域與位于所述顯示區內的所述周邊區域，在所述陣列基板上的垂直投影重合；

所述目標膜層包括位于所述第一區域內的第一目標膜層，以及位于所述第二區域內的第二目標膜層，所述第二目標膜層的厚度不同于所述第一目標膜層的厚度，以減弱所述第二區域內的藍光分量；

所述目標膜層的厚度由所述目標膜層的厚度與顯示色度的預設對應關系確定，以降低所述液晶顯示模組顯示區內所述第二區域相對于所述第一區域的顯示偏藍值，其中，所述預設對應關系通過設置不同厚度的目標膜層仿真液晶顯示模組顯示色度變化的仿真圖確定；

所述目標膜層包括緩沖層、間隔絕緣層和柵極絕緣層，所述緩沖層和間隔絕緣層均包括氮化硅層和氧化硅層，所述柵極絕緣層包括氧化硅層。

2.根據權利要求1所述的液晶顯示模組，其特征在于，

所述第一目標膜層和第二目標膜層中間隔絕緣層的氧化硅層厚度為3000埃；

所述第一目標膜層和第二目標膜層中緩沖層的氮化硅層厚度為500埃，氧化硅層厚度為2500埃；

所述第一目標膜層和第二目標膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為800埃；

所述第一目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為2200至2300埃或3800至3900埃；

所述第二目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為3000至3100埃。

3.根據權利要求1所述的液晶顯示模組，其特征在于，

所述第一目標膜層和第二目標膜層中間隔絕緣層的氧化硅層厚度為3000埃；

所述第一目標膜層和第二目標膜層中緩沖層的氮化硅層厚度為0埃，氧化硅層厚度為3000埃；

所述第一目標膜層和第二目標膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為800埃；

所述第一目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為2100至2500埃或3500至3800埃；

所述第二目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為2900至3100埃或1500至1800埃。

4.根據權利要求3所述的液晶顯示模組，其特征在于，

所述第一目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為2300埃；

所述第二目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為3000埃。

5.根據權利要求1所述的液晶顯示模組，其特征在于，

所述第一目標膜層中緩沖層的氮化硅層厚度為500埃，氧化硅層厚度為2500埃；

所述第二目標膜層中緩沖層的氮化硅層厚度為0埃，氧化硅層厚度為3000埃；

所述第一目標膜層和第二目標膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為800埃；

所述第一目標膜層和第二目標膜層中間隔絕緣層的氧化硅層厚度為3000埃；

所述第一目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為2200至2400埃或3800至4000埃；

所述第二目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為1600至1800埃或2900至3200埃。

6.根據權利要求5所述的液晶顯示模組，其特征在于，

所述第一目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為3800埃；

所述第二目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為3000埃。