[發(fā)明專利]一種化學(xué)機(jī)械研磨裝置及化學(xué)機(jī)械研磨方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710014426.6
• 申請日: 2017-01-09
• 公開（公告）號: CN108284383B
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 史超;趙雪峰;賈海衛(wèi)
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: B24B37/10
• 分類號: B24B37/10;B24B37/30;B24B37/34
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種化學(xué)機(jī)械研磨裝置，其特征在于，包括：

研磨漿供給臂，所述研磨漿供給臂設(shè)置有研磨漿噴嘴，用以噴灑研磨漿至研磨墊；

所述研磨漿供給臂上還設(shè)置有高壓空氣噴嘴，用以向所述研磨墊噴灑高壓空氣，以去除所述研磨墊上殘留的去離子水；所述研磨漿供給臂的底部為倒梯形的立體棱柱結(jié)構(gòu)，所述研磨漿噴嘴設(shè)置在所述倒梯形的立體棱柱結(jié)構(gòu)的底面上，所述高壓空氣噴嘴設(shè)置在所述倒梯形的立體棱柱結(jié)構(gòu)的外側(cè)面上。

2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述高壓空氣噴嘴包括沿所述研磨漿供給臂長度方向上設(shè)置為一列的數(shù)個高壓空氣噴嘴。

3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述高壓空氣噴嘴為扇形霧化高壓空氣噴嘴。

4.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述高壓空氣噴嘴設(shè)置為相對所述研磨漿供給臂底面具備40～50°傾角的噴嘴。

5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述研磨漿噴嘴為研磨漿低壓霧化噴嘴。

6.如權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述研磨漿低壓霧化噴嘴包括沿所述研磨漿供給臂的長度方向上設(shè)置為一列的數(shù)個第一研磨漿低壓霧化噴嘴和設(shè)置在所述研磨漿供給臂端部的數(shù)個第二研磨漿低壓霧化噴嘴。

7.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述研磨漿供給臂上還設(shè)置有去離子水噴嘴，用于噴灑去離子水至所述研磨墊。

8.如權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述去離子水噴嘴為去離子水高壓霧化噴嘴。

9.如權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述去離子水高壓霧化噴嘴包括沿所述研磨漿供給臂的長度方向上設(shè)置為一列的數(shù)個去離子水高壓霧化噴嘴。

10.一種化學(xué)機(jī)械研磨的方法，其特征在于，使用如權(quán)利要求1-9任意一項所述的化學(xué)機(jī)械研磨裝置進(jìn)行，所述方法包括：

提供待研磨的晶圓；

向研磨墊的表面噴灑高壓空氣，以去除所述研磨墊上殘留的去離子水；

向所述研磨墊上提供研磨漿；以及

對所述晶圓進(jìn)行研磨。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述研磨漿為低壓霧化研磨漿。

12.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在研磨結(jié)束后向所述研磨墊提供去離子水，以清理研磨墊表面殘留物。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述去離子水為高壓霧化去離子水。