[發(fā)明專利]一種窄邊框觸控顯示面板及顯示裝置及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710014163.9 | 申請日: | 2017-01-09 |
| 公開(公告)號: | CN106847864B | 公開(公告)日: | 2019-11-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張一帆 | 申請(專利權(quán))人: | 張一帆 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09F9/33;G09G3/3225 |
| 代理公司: | 北京酷愛智慧知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11514 | 代理人: | 安娜 |
| 地址: | 100052 北京市宣武*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 邊框 顯示 面板 顯示裝置 及其 制作方法 | ||
1.一種窄邊框觸控顯示面板,其特征在于:包括基板、基板過孔、TFT電路層、INCELL電容觸摸感應(yīng)電路的接收電路和發(fā)射電路、OLED器件層、背面電路層以及極化片和蓋板玻璃;所述背面電路層位于所述基板的底面,所述背面電路層通過基板過孔與基板頂面的TFT電路層相連;所述OLED器件層設(shè)于所述TFT電路層之上;所述INCELL電容觸摸感應(yīng)電路的發(fā)射電路位于TFT電路層內(nèi),所述INCELL電容觸摸感應(yīng)電路的接收電路位于TFT電路層內(nèi)或者背面電路層內(nèi),
所述基板材質(zhì)是玻璃基板或PI基板;
所述基板過孔采用C02激光打孔機(jī)打出,孔徑小于等于25微米,空內(nèi)壁鍍上導(dǎo)電涂層;所述導(dǎo)電涂層為黃金;
所述背面電路層包括GOA電路、電源電路ELVDD、地線電路ELVSS、測試電路、ESD電路、DEMUX電路、VCOM電路、觸摸驅(qū)動芯片或等效觸摸控制驅(qū)動電路、顯示驅(qū)動芯片或等效顯示驅(qū)動電路,或者觸控顯示一體化驅(qū)動芯片TDDI、電源芯片元器件、FPC綁定位和FPC,所述基板包括相對的頂面和底面,基板上具有過孔,所述TFT電路層位于所述基板的頂面,所述GOA電路通過基板過孔與基板頂面的TFT電路層中對應(yīng)的柵極相連,減少了基板正面的GOA區(qū)域?qū)挾龋瑥亩鴾p少邊框?qū)挾龋趁骐娐穼由细髌骷ㄟ^各方異性膠ACF進(jìn)行綁定;
所述窄邊框觸控顯示面板的制作方法包含顯示面板基板背面制作工藝流程、頂面制作工藝流程、前板段工藝流程和模組段工藝流程;
所述的基板背面制作工藝流程包括如下步驟:
1)基板雙面清洗去污;
2)使用激光打孔設(shè)備,在基板的對應(yīng)位置打過孔;
3)基板背面鍍膜,通過鍍膜設(shè)備用物理或化學(xué)的方式將所需材質(zhì)沉積到基板背面上,同時(shí)將過孔的內(nèi)壁涂覆導(dǎo)電材料,形成導(dǎo)電過孔;
4)采用高精密度光學(xué)對準(zhǔn)設(shè)備,將制作相應(yīng)電路的光刻膠位置與基板上的相應(yīng)過孔對準(zhǔn)連接,然后在背面涂覆光刻膠;
5)采用光學(xué)照射的方式,將光罩上的圖案通過光阻轉(zhuǎn)印到鍍膜后的基板上;
6)進(jìn)行顯影工藝;
7)蝕刻工藝:采用化學(xué)或者物理的方式,將基板上未被光阻覆蓋的圖形下方的膜蝕刻掉;
8)剝離工藝:將覆蓋膜上的光阻洗掉,留下具有所需圖形的膜層;
上述步驟3)-8)反復(fù)進(jìn)行多次,制作背面所有的背面電路層電路,最后,在不破壞各電路綁定位凸塊觸點(diǎn)的前提下,對背面進(jìn)行薄膜封裝;
基板背面制作工藝流程完成之后,翻轉(zhuǎn)基板,進(jìn)入到基板頂面工藝流程,具體包括如下步驟:
9)基板頂面鍍膜工藝:使用鍍膜設(shè)備,用物理或化學(xué)的方式將所需材質(zhì)沉積到基板頂面上;
10)采用高精密度光學(xué)對準(zhǔn)設(shè)備,將制作相應(yīng)電路的光刻膠位置與基板上的相應(yīng)過孔對準(zhǔn)連接,然后在頂面涂覆光刻膠;
11)采用光學(xué)照射的方式,將光罩上的圖案通過光阻轉(zhuǎn)印到鍍膜后的基板上;
12)進(jìn)行顯影工藝;
13)蝕刻工藝:采用化學(xué)或者物理的方式,將基板上未被光阻覆蓋的圖形下方的膜蝕刻掉;
14)剝離工藝:將覆蓋膜上的光阻洗掉,留下具有所需圖形的膜層;
上述步驟9)-14)反復(fù)進(jìn)行多次,制作頂面所有的TFT電路層電路;
隨后進(jìn)入前板段工藝流程,具體包括如下步驟:
15)TFT基板清洗,去除基板背面、頂面制作工藝流程中殘留的污物雜質(zhì):
16)金屬掩模張網(wǎng):高精度金屬掩膜板采用具有極低熱變形系數(shù)的材料制作,制作完成后由張網(wǎng)機(jī)將其定位在金屬框架上并送至蒸鍍;
17)蒸鍍:蒸鍍機(jī)在超高真空下,將有機(jī)材料透過高精度金屬掩膜板蒸鍍到LTPS基板限定區(qū)域上;
18)薄膜封裝保護(hù):通過薄膜封裝,保護(hù)基板頂面的TFT電路層和有機(jī)像素層;
19)蓋板清洗涂膠:蓋板清洗之后,將玻璃膠涂覆在相應(yīng)位置;
20)基板與蓋板封裝:在真空環(huán)境下,用玻璃膠將其與保護(hù)板進(jìn)行貼合封裝;
封裝完成后,進(jìn)入到模組段工藝流程,具體包括如下步驟:
21)切割工藝:封裝好的基板切割為面板;
22)面板測試:進(jìn)行面板點(diǎn)亮檢查和老化實(shí)驗(yàn);
23)將面板貼附上偏光板;
24)翻轉(zhuǎn)面板,進(jìn)行面板背面電路綁定;
25)面板背面FPC綁定:用ACF將預(yù)先制作的柔性印刷電路板FPC綁定到基板背面相應(yīng)觸點(diǎn)區(qū)域;
26)模組測試:進(jìn)行模組的老化測試與點(diǎn)亮檢查,包裝出貨。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





