[發明專利]包括多個注氣點和雙注射器的襯底處理室

有效

• 申請號: 201710013856.6
• 申請日: 2017-01-09
• 公開（公告）號: CN107017147B
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發明（設計）人: 詹森·李·特雷德韋爾;艾夫林·安格洛夫;琳達·馬爾克斯;克里斯汀·西拉迪
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 樊英如;張靜

1.一種襯底處理系統，其包括：

上室；

線圈，其布置在所述上室周圍；

RF產生系統，其用于向所述線圈供應RF功率以在所述上室中產生等離子體；

第一支撐件，其用于支撐所述上室的下部，并且包括第一多個氣體流動通道以將第一調諧氣體流沿向上且徑向向內的方向輸送到所述上室中；

氣體注射器，其布置在所述上室的上部中，以沿向下的方向或向下且徑向向外的方向中的至少一個方向輸送氣體混合物；

下室；

第二支撐件，其布置在所述第一支撐件和所述下室之間，并且包括第二多個氣體流動通道，以將第二調諧氣體流沿向下且徑向向內的方向輸送到所述下室中；

襯底支撐件，其支撐襯底并且布置在所述下室中；

氣體分配裝置，其包括多個氣體通孔并且布置在所述上室和所述下室之間；以及

氣體輸送系統，其用于將所述第一調諧氣體流供應到所述第一多個氣體流動通道，將所述氣體混合物供應到所述氣體注射器，以及將所述第二調諧氣體流供應到所述第二多個氣體流動通道。

2.根據權利要求1所述的襯底處理系統，其中所述氣體分配裝置接地。

3.根據權利要求1所述的襯底處理系統，其中所述氣體輸送系統將第一氣體流和第二氣體流供應到所述氣體注射器，并且其中所述氣體注射器獨立地將所述第一氣體流和所述第二氣體流輸送到所述上室，而不在所述氣體注射器中混合。

4.根據權利要求3所述的襯底處理系統，其中所述氣體注射器包括：

第一注射器殼體，其包括：

基部，其包括接收所述第一氣體流的第一氣體流動通道；

從所述基部延伸的突出部；和

第二氣體流動通道，其用于接收所述第二氣體流并延伸穿過所述基部和所述突出部；以及

第二注射器殼體，其包括：

第一腔，其包括第一開口、第二開口和第一多個氣體通孔，所述第一多個氣體通孔圍繞所述第二開口布置并且從所述第一腔延伸穿過所述第二注射器殼體；和

第二腔，其包括從所述第二腔延伸穿過所述第二注射器殼體的第二多個氣體通孔，并且從所述第一腔的所述第二開口延伸，

其中所述基部與所述第一腔的所述第一開口密封接合，并且

其中所述突出部與所述第二腔密封接合。

5.根據權利要求4所述的襯底處理系統，其中所述第一腔具有第一直徑，并且其中所述第二腔具有小于所述第一直徑的第二直徑。

6.根據權利要求4所述的襯底處理系統，其中所述突出部包括凹槽，并且還包括設置在所述凹槽中以與所述第二腔的內表面密封接合的O形環。

7.根據權利要求4所述的襯底處理系統，其中所述基部具有“T”形橫截面。

8.根據權利要求4所述的襯底處理系統，其中所述第一多個氣體通孔中的至少兩個相對于向下方向以向外的銳角布置。

9.根據權利要求4所述的襯底處理系統，其中所述第二多個氣體通孔中的至少兩個相對于向下方向以向外的銳角布置。

10.根據權利要求4所述的襯底處理系統，其中，所述第二多個氣體通孔中的至少一個被布置在向下方向上，并且所述第二多個氣體通孔中的至少兩個相對于所述向下方向以向外的銳角布置。

11.根據權利要求3所述的襯底處理系統，其中所述第一氣體流以第一流速供應，而所述第二氣體流以不同于所述第一流速的第二流速供應。

12.根據權利要求3所述的襯底處理系統，其中所述第一氣體流包括第一氣體混合物，而所述第二氣體流包括不同于所述第一氣體混合物的第二氣體混合物。

13.根據權利要求1所述的襯底處理系統，其中，所述氣體分配裝置布置在所述第二支撐件與所述襯底支撐件之間。