[發明專利]一種提高電阻電容型逐次逼近模數轉換器SFDR和SNDR的電容重構方法

有效

• 申請號: 201710013589.2
• 申請日: 2017-01-09
• 公開（公告）號: CN106899299B
• 公開（公告）日: 2019-12-10
• 發明（設計）人: 樊華;哈迪·哈迪日;佛朗哥·馬洛博蒂
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H03M1/10
• 分類號: H03M1/10;H03M1/46
• 代理公司: 51203 電子科技大學專利中心
• 代理人: 張楊

1.一種提高電阻電容型逐次逼近模數轉換器SFDR和SNDR的電容重構方法，該方法包括：

步驟1：在混合電阻電容型逐次逼近模數轉換器的正電容陣列和負電容陣列處各設置128個單位電容，將正電容陣列與負電容陣列相對的單位電容分為一組，獲得128組電容；

步驟2：將第一組電容中的正電容接VREFP，負電容接VREFN，其余組的正電容接VREFN，其余組的負電容接VREFP，進行正常的15位逐次逼近位循環過程，得到對應于第一組電容的數字碼；然后將第二組電容中的正電容接VREFP，負電容接VREFN，其余組的正電容接VREFN，其余組的負電容接VREFP，進行正常的15位逐次逼近位循環過程，得到對應于第二組電容的數字碼；重復此步驟，直至得到128組電容各自對應的數字碼；

步驟3：根據步驟2獲得的128組電容各自對應的數字碼，將128組電容按電容大小進行排序，排序后的電容組編號為C₁～C₁₂₈；

步驟4：選擇編號為C₃₃～C₉₆的電容組，將選擇出的64組電容按如下順序排列接入混合電阻電容型逐次逼近模數轉換器的電容陣列處：

C₃₃、C₉₆、C₃₅、C₉₄、C₃₇、C₉₂、C₃₉、C₉₀、C₄₁、C₈₈、C₄₃、C₈₆、C₄₅、C₈₄、C₄₇、C₈₂、C₄₉、C₈₀、C₅₁、C₇₈、C₅₃、C₇₆、C₅₅、C₇₄、C₅₇、C₇₂、C₅₉、C₇₀、C₆₁、C₆₈、C₆₃、C₆₆、C₆₅、C₆₄、C₆₇、C₆₂、C₆₉、C₆₀、C₇₁、C₅₈、C₇₃、C₅₆、C₇₅、C₅₄、C₇₇、C₅₂、C₇₉、C₅₀、C₈₁、C₄₈、C₈₃、C₄₆、C₈₅、C₄₄、C₈₇、C₄₂、C₈₉、C₄₀、C₉₁、C₃₈、C₉₃、C₃₆、C₉₅、C₃₄。