[發明專利]MOS器件的仿真方法有效
| 申請號： | 201710011836.5 | 申請日： | 2017-01-06 |
| 公開（公告）號： | CN106802991B | 公開（公告）日： | 2020-12-18 |
| 發明（設計）人： | 張昊 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | G06F30/39 | 分類號： | G06F30/39 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 張振軍;吳敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mos 器件 仿真 方法 | ||
1.一種MOS器件的仿真方法，其特征在于，包括：
提供MOS器件邊角模型，所述MOS器件邊角模型包括用以描述慢NMOS快PMOS工藝角和快NMOS慢PMOS工藝角的第一邊角模型，所述第一邊角模型中包括多個特性參數，所述第一邊角模型中還包括對所述多個特性參數中的至少一部分進行調節的可配置系數，所述可配置系數是變量參數，所述可配置系數用于調整所述慢NMOS快PMOS工藝角和快NMOS慢PMOS工藝角與典型NMOS典型PMOS工藝角的偏移量；
確定對所述可配置系數的配置；
基于配置后的可配置系數，使用所述MOS器件邊角模型進行仿真。
2.根據權利要求1所述的MOS器件的仿真方法，其特征在于，所述MOS器件邊角模型還包括用以描述快NMOS快PMOS工藝角和慢NMOS慢PMOS工藝角的第二邊角模型；所述MOS器件邊角模型覆蓋全部典型NMOS典型PMOS工藝角。
3.根據權利要求1所述的MOS器件的仿真方法，其特征在于，通過設置不同的所述可配置系數的值調整所述慢NMOS快PMOS工藝角和快NMOS慢PMOS工藝角與典型NMOS典型PMOS工藝角的偏移量。
4.根據權利要求3所述的MOS器件的仿真方法，其特征在于，所述可配置系數的取值范圍為[0,1]。
5.根據權利要求3所述的MOS器件的仿真方法，其特征在于，所述可配置系數為1時，所述偏移量最大；所述可配置系數為0時，所述偏移量為0。
6.根據權利要求3所述的MOS器件的仿真方法，其特征在于，所述可配置系數取值范圍為[0.5,1]。
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