[發(fā)明專利]制作電容器的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710011359.2
• 申請(qǐng)日: 2017-01-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108281413B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳界得;張峰溢;李甫哲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/64
• 分類號(hào): H01L23/64;H01L27/108
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種制作電容器的方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一基板以及一第一蝕刻停止層，其中該第一蝕刻停止層設(shè)置于該基板上；

在該第一蝕刻停止層上形成多條第一間隙壁；

在該多個(gè)第一間隙壁上依序形成一第一有機(jī)層以及一第二蝕刻停止層，其中該第一有機(jī)層覆蓋該多個(gè)第一間隙壁；

在該第二蝕刻停止層上形成多條第二間隙壁，其中各該第二間隙壁橫跨該多個(gè)第一間隙壁；

將該多個(gè)第二間隙壁的圖案轉(zhuǎn)移至該第一有機(jī)層，以形成一有機(jī)圖案；

以該有機(jī)圖案與該多個(gè)第一間隙壁為掩模進(jìn)行一第一蝕刻制作工藝，以蝕刻該第一蝕刻停止層并移除該第二蝕刻停止層，進(jìn)而形成一第一蝕刻停止圖案；以及

將該第一蝕刻停止圖案轉(zhuǎn)移至該基板，以形成多個(gè)穿孔，其中該多個(gè)穿孔彼此分隔開(kāi),

所述形成該多個(gè)第一間隙壁包括：

在該第一蝕刻停止層上形成一三層結(jié)構(gòu)，其中該三層結(jié)構(gòu)包括第二有機(jī)層、含硅層以及光致抗蝕劑圖案，依序設(shè)置于該第一蝕刻停止層上；

將該光致抗蝕劑圖案轉(zhuǎn)移至該含硅層，以形成一含硅圖案；

將該含硅圖案轉(zhuǎn)移至該第二有機(jī)層，以形成多條條狀掩模圖案，并移除該光致抗蝕劑圖案；

在該多個(gè)條狀掩模圖案與該第一蝕刻停止層上均勻形成一間隙壁材料；

進(jìn)行一回蝕刻制作工藝，以于該多個(gè)條狀掩模圖案的側(cè)壁上分別形成該多個(gè)第一間隙壁，并暴露出該第一蝕刻停止層；以及

移除該多個(gè)條狀掩模圖案。

2.如權(quán)利要求1所述的制作電容器的方法，其特征在于，還包括提供一先進(jìn)圖案膜，位于該基板與該第一蝕刻停止層之間，其中該先進(jìn)圖案膜包括非晶碳。

3.如權(quán)利要求2所述的制作電容器的方法，其特征在于，該基板包括硬掩模層，且將該第一蝕刻停止圖案轉(zhuǎn)移至該基板的步驟包括：

以該第一蝕刻停止圖案作為掩模進(jìn)行一第二蝕刻制作工藝，以蝕刻該先進(jìn)圖案膜，進(jìn)而形成一先進(jìn)圖案并移除該有機(jī)圖案；以及

以該先進(jìn)圖案作為掩模進(jìn)行一第三蝕刻制作工藝，以蝕刻該硬掩模層，進(jìn)而形成一硬掩模圖案，并移除該多個(gè)第一間隙壁與該第一蝕刻停止圖案。

4.如權(quán)利要求3所述的制作電容器的方法，其特征在于，該基板另包括圖案轉(zhuǎn)移層以及犧牲層，且將該第一蝕刻停止圖案轉(zhuǎn)移至該基板的步驟另包括：

移除該先進(jìn)圖案；

以該硬掩模圖案作為掩模進(jìn)行一第四蝕刻制作工藝，以蝕刻該圖案轉(zhuǎn)移層，進(jìn)而形成一轉(zhuǎn)移圖案；以及

以該轉(zhuǎn)移圖案進(jìn)行一第五蝕刻制作工藝，以于該犧牲層中形成該多個(gè)穿孔并移除該硬掩模圖案。

5.如權(quán)利要求4所述的制作電容器的方法，其特征在于，還包括：

移除該轉(zhuǎn)移圖案；

在各該穿孔中分別形成一下電極；

移除該犧牲層；

在該下電極上均勻形成一電容介電層；以及

在該電容介電層上形成一上電極。

6.如權(quán)利要求1所述的制作電容器的方法，其特征在于，形成該多個(gè)第二間隙壁的步驟與形成該第一間隙壁的步驟相同。

7.如權(quán)利要求1所述的制作電容器的方法，其特征在于，各該第一間隙壁與各該第二間隙壁的夾角為90度。

8.如權(quán)利要求1所述的制作電容器的方法，其特征在于，各該第一間隙壁與各該第二間隙壁的夾角為銳角。

9.如權(quán)利要求8所述的制作電容器的方法，其特征在于，該多個(gè)穿孔排列成多個(gè)六角形圖案。

10.如權(quán)利要求1所述的制作電容器的方法，其特征在于，將該多個(gè)第二間隙壁的圖案轉(zhuǎn)移至該第一有機(jī)層包括：

以該多個(gè)第二間隙壁作為掩模進(jìn)行一第六蝕刻制作工藝，以蝕刻該第二蝕刻停止層，進(jìn)而形成一第二蝕刻停止圖案；

移除該多個(gè)第二間隙壁；

以該第二蝕刻停止圖案作為掩模進(jìn)行一第七蝕刻制作工藝，以蝕刻該第一有機(jī)層，進(jìn)而形成該有機(jī)圖案。