[發明專利]具有包含不同材料取向或組成的納米線或半導體主體的共襯底半導體器件

有效

• 申請號: 201710011200.0
• 申請日: 2011-12-23
• 公開（公告）號: CN106847805B
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發明（設計）人: A·卡佩拉尼;P·G·托爾欽斯基;K·J·庫恩;G·A·格拉斯;V·H·勒
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 鄔少俊;王英

1.一種半導體結構，包括：

第一半導體器件，其包括設置于結晶襯底之上的第一納米線，所述第一納米線包括第一半導體材料；

第二半導體器件，其包括設置于所述結晶襯底之上的第二納米線，所述第二納米線包括第二半導體材料，所述第二半導體材料不同于所述第一半導體材料，并且所述第二納米線通過設置于所述第二納米線與所述結晶襯底之間的隔離基座與所述結晶襯底隔離；以及

第三半導體器件，其包括設置于所述結晶襯底之上的第三納米線，所述第三納米線包括第三半導體材料，所述第三半導體材料不同于所述第一半導體材料和所述第二半導體材料，所述第三納米線通過設置于所述第三納米線與所述結晶襯底之間的第二隔離基座與所述結晶襯底隔離，其中所述第一納米線的底表面與所述第二納米線的底表面共面并且與所述第三納米線的底表面共面，并且其中所述第一納米線、所述第二納米線和所述第三納米線都彼此平行，

其中所述第一半導體器件的所述第一納米線通過設置于所述第一納米線與所述結晶襯底之間的掩埋介電層與所述結晶襯底隔離。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其中所述掩埋介電層的組成與所述隔離基座的組成相同。

3.根據權利要求1所述的半導體結構，其中所述掩埋介電層的組成與所述隔離基座的組成不同。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，其中所述第一半導體器件還包括設置于所述第一納米線之上、并在垂直平面中與所述第一納米線堆疊的一個或多個附加的納米線，所述第二半導體器件還包括設置于所述第二納米線之上、并在垂直平面中與所述第二納米線堆疊的一個或多個附加的納米線，并且所述第三半導體器件還包括設置于所述第三納米線之上、并在垂直平面中與所述第三納米線堆疊的一個或多個附加的納米線。

5.根據權利要求1所述的半導體結構，其中所述第一半導體器件還包括圍繞所述第一納米線的一部分的第一柵極電極堆疊體，所述第二半導體器件還包括圍繞所述第二納米線的一部分的第二柵極電極堆疊體，并且所述第三半導體器件還包括圍繞所述第三納米線的一部分的第三柵極電極堆疊體。

6.一種半導體結構，包括：

第一半導體器件，其包括設置于結晶襯底之上的第一半導體主體，所述第一半導體主體包括第一半導體材料；

第二半導體器件，其包括設置于所述結晶襯底之上的第二半導體主體，所述第二半導體主體包括第二半導體材料，所述第二半導體材料不同于所述第一半導體材料，并且所述第二半導體主體通過設置于所述第二半導體主體與所述結晶襯底之間的隔離基座與所述結晶襯底隔離；以及

第三半導體器件，其包括設置于所述結晶襯底之上的第三半導體主體，所述第三半導體主體包括第三半導體材料，所述第三半導體材料不同于所述第一半導體材料和所述第二半導體材料，所述第三半導體主體通過設置于所述第三半導體主體與所述結晶襯底之間的第二隔離基座與所述結晶襯底隔離，其中所述第一半導體主體的底表面與所述第二半導體主體的底表面共面并且與所述第三半導體主體的底表面共面，并且其中所述第一半導體主體、所述第二半導體主體和所述第三半導體主體都彼此平行，

其中所述第一半導體器件的所述第一半導體主體通過設置于所述第一半導體主體與所述結晶襯底之間的掩埋介電層與所述結晶襯底隔離。

7.根據權利要求6所述的半導體結構，其中所述掩埋介電層的組成與所述隔離基座的組成相同。

8.根據權利要求6所述的半導體結構，其中所述掩埋介電層的組成與所述隔離基座的組成不同。

9.根據權利要求6所述的半導體結構，其中所述第一半導體器件還包括圍繞所述第一半導體主體的一部分的第一柵極電極堆疊體，所述第二半導體器件還包括圍繞所述第二半導體主體的一部分的第二柵極電極堆疊體，并且所述第三半導體器件還包括圍繞所述第三半導體主體的一部分的第三柵極電極堆疊體。