[發(fā)明專利]閃存器件及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710011191.5
• 申請(qǐng)日: 2017-01-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108281427A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-07-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 仇圣棻;陳亮;周朝鋒;李曉波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11524
• 分類號(hào): H01L27/11524;H01L27/11529;H01L21/764
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;吳敏

1.一種閃存器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底、位于所述襯底上的分立的位線、位于所述位線頂部上的第一介質(zhì)層、以及位于所述第一介質(zhì)層上的浮柵結(jié)構(gòu)，相鄰位線與襯底之間構(gòu)成溝槽，所述溝槽內(nèi)填充有犧牲層，且所述犧牲層頂部高于所述位線頂部；

在所述浮柵結(jié)構(gòu)頂部和側(cè)壁上以及犧牲層頂部上形成第二介質(zhì)層；

在所述第二介質(zhì)層上形成控制柵層；

圖形化所述控制柵層形成控制柵結(jié)構(gòu)，所述控制柵結(jié)構(gòu)露出部分第二介質(zhì)層；

去除所述控制柵結(jié)構(gòu)露出的第二介質(zhì)層、浮柵結(jié)構(gòu)以及第一介質(zhì)層，暴露出部分犧牲層頂部；

在暴露出部分犧牲層頂部之后，去除所述犧牲層，相鄰位線與所述襯底之間構(gòu)成空氣間隙。

2.如權(quán)利要求1所述的閃存器件的制造方法，其特征在于，形成所述犧牲層的工藝步驟包括：

提供襯底、位于所述襯底上的分立的位線、位于所述位線頂部上的第一介質(zhì)層、以及位于所述第一介質(zhì)層上的浮柵結(jié)構(gòu)，且所述位線露出的襯底上具有覆蓋所述位線側(cè)壁的隔離結(jié)構(gòu)；

去除所述隔離結(jié)構(gòu)，在相鄰位線與所述襯底之間形成所述溝槽；

在所述溝槽內(nèi)填充所述犧牲層，且所述犧牲層的材料與所述隔離結(jié)構(gòu)的材料不同。

3.如權(quán)利要求2所述的閃存器件的制造方法，其特征在于，所述犧牲層的材料為APF材料或者BARC材料。

4.如權(quán)利要求2所述的閃存器件的制造方法，其特征在于，所述隔離結(jié)構(gòu)的材料為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

5.如權(quán)利要求3所述的閃存器件的制造方法，其特征在于，去除所述犧牲層的方法包括：向所述犧牲層通入含氧氣體，去除所述犧牲層。

6.如權(quán)利要求5所述的閃存器件的制造方法，其特征在于，去除所述犧牲層的工藝參數(shù)包括：所述含氧氣體為O₂或者O₃，工藝溫度為90℃～110℃。

7.如權(quán)利要求2所述的閃存器件的制造方法，其特征在于，在形成所述犧牲層的工藝步驟中，所述犧牲層填充滿所述溝槽；或者，在形成所述犧牲層的工藝步驟中，所述犧牲層底部與所述襯底之間還具有間隙。

8.如權(quán)利要求7所述的閃存器件的制造方法，其特征在于，形成所述犧牲層的工藝步驟包括：在所述溝槽內(nèi)填充犧牲膜，且所述犧牲膜頂部高于所述浮柵結(jié)構(gòu)頂部；回刻蝕去除部分厚度的犧牲膜，形成所述犧牲層。

9.如權(quán)利要求2所述的閃存器件的制造方法，其特征在于，在形成所述犧牲層的工藝步驟中，所述犧牲層頂部高于所述浮柵結(jié)構(gòu)底部。

10.如權(quán)利要求1所述的閃存器件的制造方法，其特征在于，圖形化所述控制柵層形成控制柵結(jié)構(gòu)的工藝步驟包括：在所述控制柵層上形成掩膜層；以所述掩膜層為掩膜刻蝕所述控制柵層，直至暴露出部分第二介質(zhì)層，形成所述控制柵結(jié)構(gòu)。

11.如權(quán)利要求10所述的閃存器件的制造方法，其特征在于，去除所述控制柵結(jié)構(gòu)露出的第二介質(zhì)層、浮柵結(jié)構(gòu)以及第一介質(zhì)層的工藝步驟包括：以所述掩膜層為掩膜，刻蝕去除所述控制柵結(jié)構(gòu)露出的第二介質(zhì)層、浮柵結(jié)構(gòu)以及第一介質(zhì)層；去除所述掩膜層。

12.如權(quán)利要求1所述的閃存器件的制造方法，其特征在于，形成所述犧牲層的工藝步驟包括：提供襯底、位于所述襯底上的分立的位線、位于所述位線頂部上的第一介質(zhì)層、以及位于所述第一介質(zhì)層上的浮柵結(jié)構(gòu)，且所述位線露出的襯底上具有覆蓋所述位線側(cè)壁的隔離結(jié)構(gòu)；

其中，所述隔離結(jié)構(gòu)作為所述犧牲層。

13.如權(quán)利要求12所述的閃存器件的制造方法，其特征在于，所述隔離結(jié)構(gòu)的材料為氧化硅或氮化硅。