[發明專利]存儲器及其形成方法

有效

• 申請號: 201710011189.8
• 申請日: 2017-01-06
• 公開（公告）號: CN108281426B
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發明（設計）人: 韓亮;仇圣棻;陳亮
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L27/11521
• 分類號: H01L27/11521
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種存儲器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成若干第一柵極結構，所述第一柵極結構包括浮柵極結構和位于浮柵極結構上的控制柵極結構，所述控制柵極結構包括體區和位于體區上方的頂區域，在平行于控制柵極結構排列方向上，頂區域控制柵極結構的尺寸小于體區控制柵極結構的尺寸，且頂區域控制柵極結構側壁和體區控制柵極結構側壁直接連接；

在所述基底上形成覆蓋所述浮柵極結構側壁及所述控制柵極結構頂部和側壁的介質層，同時在相鄰第一柵極結構之間的介質層中形成空氣隙，所述空氣隙的頂端高于或齊平于控制柵極結構的頂部表面；所述介質層直接覆蓋所述控制柵結構的頂部。

2.根據權利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，形成所述若干第一柵極結構的方法包括：在所述基底上形成初始柵極結構，所述初始柵極結構包括浮柵極結構和位于浮柵極結構上的初始控制柵極結構，所述初始控制柵極結構具有位于頂部的刻蝕區域；對初始控制柵極結構的刻蝕區域進行刻蝕，使初始控制柵極結構形成所述控制柵極結構，使初始柵極結構形成所述第一柵極結構。

3.根據權利要求2所述的存儲器的形成方法，其特征在于，還包括：對所述初始控制柵極結構的刻蝕區域進行刻蝕之前，在所述基底上形成覆蓋層，所述覆蓋層暴露出初始控制柵極結構的刻蝕區域；以所述覆蓋層為掩膜刻蝕初始控制柵極結構的刻蝕區域，使初始控制柵極結構形成所述控制柵極結構；以所述覆蓋層為掩膜刻蝕初始控制柵極結構的刻蝕區域后，去除所述覆蓋層。

4.根據權利要求3所述的存儲器的形成方法，其特征在于，以所述覆蓋層為掩膜刻蝕初始控制柵極結構的刻蝕區域的工藝為等離子體干刻工藝。

5.根據權利要求4所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述等離子體干刻工藝的參數包括：采用的氣體包括CH₃F、O₂和He，CH₃F的流量為100sccm～500sccm，O₂的流量為30sccm～100sccm，He的流量為50sccm～200sccm，源射頻功率為100瓦～800瓦，偏置電壓為20伏～100伏，腔室壓強為1mtorr～300mtorr。

6.根據權利要求3所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述覆蓋層的材料為光阻材料、抗反射層材料或有機聚合物。

7.根據權利要求3所述的存儲器的形成方法，其特征在于，形成所述覆蓋層的方法包括：在所述基底上形成初始覆蓋層，所述初始覆蓋層覆蓋所述若干第一柵極結構；回刻蝕所述初始覆蓋層，形成所述覆蓋層。

8.根據權利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，形成所述介質層的工藝包括等離子體增強型化學氣相沉積工藝。

9.根據權利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述介質層的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅或低K介質材料。

10.根據權利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述控制柵極結構包括位于浮柵極結構上的控制柵介質層和位于控制柵介質層上的控制柵電極層。

11.根據權利要求10所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述控制柵極結構包括僅包括所述控制柵介質層和所述控制柵電極層；頂區域具有部分控制柵電極層，體區具有控制柵介質層和部分控制柵電極層；在平行于控制柵極結構排列方向上，頂區域控制柵電極層的尺寸小于體區控制柵電極層的尺寸，且頂區域控制柵電極層側壁和體區控制柵電極層側壁連接；空氣隙的頂端高于或齊平于控制柵電極層的頂部表面。