[發明專利]極紫外光刻三維接觸孔掩模衍射譜快速仿真方法

有效

• 申請號: 201710011142.1
• 申請日: 2017-01-06
• 公開（公告）號: CN106773546B
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發明（設計）人: 張恒;李思坤;王向朝;諸波爾;孟澤江;成維
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海光學精密機械研究所
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海恒慧知識產權代理事務所(特殊普通合伙)31317
• 代理人: 張寧展

1.一種極紫外光刻三維接觸孔掩模衍射譜快速仿真方法，該極紫外光刻三維接觸孔掩模從下至上依次包括基底、多層膜和吸收層，其特征在于該方法包括如下步驟：

(1)選擇吸收層具有矩形開孔圖形的極紫外光刻三維接觸孔掩模，以該吸收層圖形所在面為xy面，沿z軸從下至上依次堆疊分布基底、多層膜和吸收層；采用分離變量降維法將待仿真極紫外光刻三維接觸孔掩模分解成位于兩相互垂直平面上的二維掩模，即過該矩形開孔中心點的xz截面的二維掩模和yz截面的二維掩模；

(2)給定待仿真極紫外光刻三維接觸孔掩模照明光的入射角和方位角θ，計算對應兩二維掩模的入射光角，公式如下：

其中，為xz截面二維掩模的入射角，為yz截面二維掩模的入射角，兩二維掩模的方位角皆為0°；

(3)采用嚴格電磁場仿真的波導法仿真xz截面的二維掩模，得到其衍射譜(x_±i)，采用相同方法仿真yz截面的二維掩模，得到其衍射譜(y_±j)，其中i＝1,2,3,…,m,j＝1,2,3,…,n,m、n為兩方向二維衍射譜最高級次，取值高于周期與波長比值的2倍；

(4)將仿真得到的兩二維掩模衍射譜(x_±i),(y_±j)相乘得到三維接觸孔掩模衍射譜,如下述公式所示：

其中，kron*為克羅尼克(kronecker)矩陣乘符號。

2.根據權利要求1所述的極紫外光刻三維接觸孔掩模衍射譜快速仿真方法，其特征在于，所述的分離變量降維法具體指對于具有對稱性的矩形開孔圖形的掩模將其分解為過矩形中心且平行于矩形長、寬邊的截面上的二維掩模圖形。