[發明專利]一種薄膜晶體管陣列基板及制造方法和顯示面板在審
| 申請號： | 201710010837.8 | 申請日： | 2017-01-06 |
| 公開（公告）號： | CN108288606A | 公開（公告）日： | 2018-07-17 |
| 發明（設計）人： | 唐葉 | 申請（專利權）人： | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/77 | 分類號： | H01L21/77;H01L27/12;H01L29/10;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京布瑞知識產權代理有限公司 11505 | 代理人： | 孟潭 |
| 地址： | 215300 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 驅動薄膜晶體管 開關薄膜晶體管 薄膜晶體管 絕緣層 薄膜晶體管陣列基板 顯示面板 溝道形成區域 非晶化 基板 源區 制造 半導體形成 亞閾值擺幅 晶化過程 晶粒結構 顯示器件 電特性 遷移率 溝道 晶化 | ||
1.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：
采用非晶化半導體形成有源區；
在形成開關薄膜晶體管和驅動薄膜晶體管的過程中，使開關薄膜晶體管溝道形成區域與基板間的絕緣層厚度大于驅動薄膜晶體管溝道形成區域與基板間絕緣層的厚度；
將開關薄膜晶體管和驅動薄膜晶體管的有源區晶化。
2.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，在底柵結構的薄膜晶體管陣列基板上，增加開關薄膜晶體管溝道形成區域與基板間的柵極絕緣層的厚度。
3.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，在底柵結構的薄膜晶體管陣列基板上，減少驅動薄膜晶體管溝道形成區域與基板間的柵極絕緣層的厚度。
4.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，在頂柵結構的薄膜晶體管陣列基板上，增加開關薄膜晶體管溝道形成區域與基板間的緩沖絕緣層的厚度。
5.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，在頂柵結構的薄膜晶體管陣列基板上，減少驅動薄膜晶體管溝道形成區域與基板間的的緩沖絕緣層的厚度。
6.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，所述非晶化半導體為非晶硅。
7.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，所述絕緣層為單層或多層結構，所述絕緣層包括氧化硅層、氮化硅層之一或其組合。
8.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，所述晶化采用激光晶化。
9.一種薄膜晶體管陣列基板，由權利要求1至8任一所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法形成。
10.一種顯示面板，包括如權利要求9所述的薄膜晶體管陣列基板。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
