[發明專利]一種薄膜晶體管陣列基板及制造方法和顯示面板

在審

• 申請號: 201710010837.8
• 申請日: 2017-01-06
• 公開（公告）號: CN108288606A
• 公開（公告）日: 2018-07-17
• 發明（設計）人: 唐葉
• 申請（專利權）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L29/10;H01L27/32
• 代理公司: 北京布瑞知識產權代理有限公司 11505
• 代理人: 孟潭

1.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

采用非晶化半導體形成有源區；

在形成開關薄膜晶體管和驅動薄膜晶體管的過程中，使開關薄膜晶體管溝道形成區域與基板間的絕緣層厚度大于驅動薄膜晶體管溝道形成區域與基板間絕緣層的厚度；

將開關薄膜晶體管和驅動薄膜晶體管的有源區晶化。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，在底柵結構的薄膜晶體管陣列基板上，增加開關薄膜晶體管溝道形成區域與基板間的柵極絕緣層的厚度。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，在底柵結構的薄膜晶體管陣列基板上，減少驅動薄膜晶體管溝道形成區域與基板間的柵極絕緣層的厚度。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，在頂柵結構的薄膜晶體管陣列基板上，增加開關薄膜晶體管溝道形成區域與基板間的緩沖絕緣層的厚度。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，在頂柵結構的薄膜晶體管陣列基板上，減少驅動薄膜晶體管溝道形成區域與基板間的的緩沖絕緣層的厚度。

6.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，所述非晶化半導體為非晶硅。

7.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，所述絕緣層為單層或多層結構，所述絕緣層包括氧化硅層、氮化硅層之一或其組合。

8.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，所述晶化采用激光晶化。

9.一種薄膜晶體管陣列基板，由權利要求1至8任一所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法形成。

10.一種顯示面板，包括如權利要求9所述的薄膜晶體管陣列基板。