[發明專利]一種大尺寸SiC晶片的背面處理方法

有效

• 申請號: 201710010531.2
• 申請日: 2017-01-06
• 公開（公告）號: CN106625204B
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: 孔令沂;孫國勝;卓俊輝;劉丹;韓景瑞;張新河;李錫光;蕭黎鑫
• 申請（專利權）人: 東莞市天域半導體科技有限公司
• 主分類號: B24B37/04
• 分類號: B24B37/04;B24B37/10;B24B7/22;H01L21/02
• 代理公司: 廣州市南鋒專利事務所有限公司 44228
• 代理人: 羅曉聰

1.一種大尺寸SiC晶片的背面處理方法，其特征在于，該背面處理方法包括以下步驟：

步驟1：對SiC晶片正面覆蓋藍膜作為保護層；

步驟2：將SiC晶片正面貼入拋光夾具的模板內，該SiC晶片正面覆蓋的藍膜與模板緊密接觸，且其之間無氣泡；

步驟3：將裝好SiC晶片的拋光夾具放置于拋光設備上，拋光設備對SiC晶片背面進行研磨拋光處理；

步驟4：對SiC晶片進行清洗，封裝；

其中，于步驟3中，拋光設備采用金剛石研磨液與CMP拋光液調配制成的組合型研磨拋光液，配合合成纖維聚合物拋光墊對SiC晶片背面進行研磨拋光處理；

步驟3中所述組合型研磨拋光液的PH值為10.2，且組合型研磨拋光液由按照體積比比值為2的金剛石研磨液與CMP拋光液調配制成，其中，金剛石研磨液為中性金剛石研磨液，且該中性金剛石研磨液中金剛石粒徑為5μm；合成纖維聚合物拋光墊對SiC晶片背面進行研磨拋光處理的磨拋壓力為8kPa或12kPa。

2.根據權利要求1所述的一種大尺寸SiC晶片的背面處理方法，其特征在于：所述大尺寸SiC晶片為6英寸的外延層制有器件圖形的SiC晶片，該SiC晶片的外延層上制有器件圖形層以及覆蓋于器件圖形層上的光刻膠保護層，該光刻膠保護層與所述藍膜貼合。

3.根據權利要求2所述的一種大尺寸SiC晶片的背面處理方法，其特征在于：于步驟3中，將合成纖維聚合物拋光墊粘貼固定于拋光設備的主盤上，將裝好SiC晶片的拋光夾具放置于合成纖維聚合物拋光墊上，其中，SiC晶片背面與合成纖維聚合物拋光墊接觸，并使用擺臂鎖定夾具的位置，在主盤公轉的同時，于合成纖維聚合物拋光墊表面連續供應組合型研磨拋光液，使用擺臂控制夾具產生自轉以及擺動，以對SiC晶片背面均勻研磨拋光，其中，該拋光設備對SiC晶片背面進行研磨拋光處理時，公轉主盤的公轉速率為50轉/分鐘，拋光夾具自轉速率為10轉/分鐘，擺臂擺動頻率為8次/分鐘。

4.根據權利要求3所述的一種大尺寸SiC晶片的背面處理方法，其特征在于：步驟4中，采用去離子水對外延層制有器件圖形的SiC晶片進行清洗。

5.根據權利要求1所述的一種大尺寸SiC晶片的背面處理方法，其特征在于：所述大尺寸SiC晶片為4英寸的制有外延層的SiC晶片，該SiC晶片上的外延層與所述藍膜貼合。

6.根據權利要求5所述的一種大尺寸SiC晶片的背面處理方法，其特征在于：于步驟3中，將合成纖維聚合物拋光墊粘貼固定于拋光設備的主盤上，將裝好SiC晶片的拋光夾具放置于合成纖維聚合物拋光墊上，其中，SiC晶片背面與合成纖維聚合物拋光墊接觸，并使用擺臂鎖定夾具的位置，在主盤公轉的同時，于合成纖維聚合物拋光墊表面連續供應組合型研磨拋光液，使用擺臂控制夾具產生自轉以及擺動，以對SiC晶片背面均勻研磨拋光，其中，該拋光設備對SiC晶片背面進行研磨拋光處理時，公轉主盤的公轉速率為50轉/分鐘，拋光夾具自轉速率為10轉/分鐘，擺臂擺動頻率為16次/分鐘。

7.根據權利要求6所述的一種大尺寸SiC晶片的背面處理方法，其特征在于：步驟4中，先采用去離子水對制有外延層的SiC晶片進行清洗，再去掉藍膜，再通過清洗機按照標準RCA清洗流程對制有外延層的SiC晶片進行雙面清洗，然后進行真空包裝以封裝。