[發(fā)明專利]靜電防護(hù)電路、靜電防護(hù)裝置及芯片篩選方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710010350.X
• 申請日: 2017-01-06
• 公開（公告）號: CN106783843B
• 公開（公告）日: 2019-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 雒濤;曹學(xué)蕾;王科;李鮮;孫亮;杜園園;孟斌;顧煜棟;劉少真
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院高能物理研究所
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京志霖恒遠(yuǎn)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11435
• 代理人: 陳姍姍

本申請公開了一種靜電防護(hù)電路、靜電防護(hù)裝置及芯片篩選方法，該靜電防護(hù)電路包括：正極防護(hù)電路，包括第一串聯(lián)單元，所述第一串聯(lián)單元一端連接芯片輸入端，另一端連接芯片的正極供電端，包括至少兩個反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管；負(fù)極防護(hù)電路，包括第二串聯(lián)單元，所述第二串聯(lián)單元一端連接芯片輸入端，另一端連接芯片的負(fù)極供電端，包括至少兩個反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管；限流電阻，一端連接所述芯片輸入端，另一端連接輸入引出端。根據(jù)本申請實施例提供的技術(shù)方案，通過在芯片輸入端接入正極防護(hù)電路、負(fù)極防護(hù)電路和限流電阻，能夠解決靜電敏感元器件的靜電受損問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開一般涉及芯片檢測領(lǐng)域，具體涉及靜電敏感器件的檢測領(lǐng)域，尤其涉及靜電防護(hù)電路、靜電防護(hù)裝置及芯片篩選方法。

背景技術(shù)

在天文觀測中，越來越多的使用ASIC(Application Specific IntegratedCircuit，專用集成電路)專用芯片采集探測器信號，例如采用多通道靜電敏感型信號采集芯片VA32TA6。這類芯片為了提高ASIC的等效輸入噪聲等指標(biāo)，設(shè)計芯片時輸入端會采用柵極引出并去除靜電防護(hù)電路。因此，該類ASIC對靜電非常敏感，極易受到靜電損傷。特別是在對該類產(chǎn)品按照航天元器件管理規(guī)范進(jìn)行元器件篩選考核時，出現(xiàn)過批次性失效現(xiàn)象，該考核包含多種力學(xué)、熱學(xué)、電學(xué)、穩(wěn)定性等性能的試驗。

對于本領(lǐng)域所使用的靜電敏感型ASIC，通常采用以下方式改善靜電敏感度：

一種是COB(Chip on Board)方式。也就是把ASIC的裸片直接粘在印制電路(PCB)上，用鍵合絲把探測器跟ASIC的輸入端連起來。ASIC的輸入端就不再懸空，具備了一條通過探測器到地的交流回路，對靜電的敏感度有顯著改善。

這種方式的缺點在于，無法再按照元器件的管理方法去考核ASIC，只能用設(shè)備級的標(biāo)準(zhǔn)去考核。這會造成考核試驗強度不夠，使產(chǎn)品在軌運行時具有失效風(fēng)險。

另一種是改造環(huán)境，在操作間劃分出專用的EPA(ESD Protected Area)靜電保護(hù)防護(hù)區(qū)域，對該區(qū)域進(jìn)行防靜電裝修，并制定相應(yīng)的操作規(guī)范，在區(qū)域內(nèi)操作靜電敏感元器件。這種方式成本高，對人員的操作要求嚴(yán)格。此時，元器件的抗靜電能力通常只能做到350V以上。對于靜電敏感度低于350V的產(chǎn)品，并不適用。而且，元器件篩選的項目較多，如涉及到多部門和多實驗室的合作時，該方法也不適用。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷或不足，期望提供一種抗靜電的防護(hù)電路，為了實現(xiàn)上述目的，提供一種靜電防護(hù)電路和靜電防護(hù)裝置。

第一方面，提供一種靜電防護(hù)電路，靜電防護(hù)電路包括：

正極防護(hù)電路，包括第一串聯(lián)單元，第一串聯(lián)單元一端連接芯片輸入端，另一端連接芯片的正極供電端，包括至少兩個反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管；

負(fù)極防護(hù)電路，包括第二串聯(lián)單元，第二串聯(lián)單元一端連接芯片輸入端，另一端連接芯片的負(fù)極供電端，包括至少兩個反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管；

限流電阻，一端連接芯片輸入端，另一端連接輸入引出端。

第二方面，一種靜電防護(hù)裝置，其特征在于，裝置包括上述的靜電防護(hù)電路，還包括：

電源短接開關(guān)，一端連接正極供電端，另一端連接負(fù)極供電端。

第三方面，提供基于上述的靜電防護(hù)裝置的芯片篩選方法，該方法包括：

將芯片固定于靜電防護(hù)裝置，進(jìn)行初始電性能測試；

在各篩選環(huán)節(jié)中，電源短接開關(guān)根據(jù)篩選環(huán)節(jié)的類型接通或斷開，電源短接開關(guān)的初始狀態(tài)為接通；