[發明專利]一種介孔二氧化硅包覆磁性多壁碳納米管復合材料及其制備方法有效
| 申請號: | 201710010301.6 | 申請日: | 2017-01-06 |
| 公開(公告)號: | CN106744990B | 公開(公告)日: | 2019-03-08 |
| 發明(設計)人: | 范會濤;馮玉全;邢小靜;李波;仲志國;楊昱涵;王聰聰;趙玲 | 申請(專利權)人: | 南陽師范學院 |
| 主分類號: | C01B33/12 | 分類號: | C01B33/12;C01B32/168;A61K47/02;A61K49/00;H01F1/01;H01F41/00 |
| 代理公司: | 鄭州紅元帥專利代理事務所(普通合伙) 41117 | 代理人: | 秦舜生 |
| 地址: | 473061 河南省*** | 國省代碼: | 河南;41 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 二氧化硅 磁性 多壁碳 納米 復合材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種制備介孔二氧化硅包覆磁性多壁碳納米管復合材料的方法,其特征是首先制備MWCNT/CoFe2O4磁性碳納米管材,再利用MWCNT/CoFe2O4磁性碳納米管材制備MWCNT/CoFe2O4@mSiO2介孔復合材料;
所述制備MWCNT/CoFe2O4磁性碳納米管材的步驟如下:
⑴.將FeCl3·6H2O和CoCl2·6H2O按照摩爾比為2:1的比例混合并溶于90℃的 DEG中,攪拌30min,使其充分溶解;其中,每10mL DEG溶解0.55~0.59g的混合固體;
⑵.將NaOH固體溶于90℃的DEG中,充分攪拌使其溶解;其中FeCl3·6H2O、CoCl2·6H2O和NaOH的摩爾比為2:1:8,每5mL DEG溶解0.20~0.25g NaOH;
⑶.將MWCNT溶于常溫下的DEG,劇烈攪拌30min;其中10mL DEG溶解0.0010~0.0015gMWCNT;
⑷.將步驟⑵的溶液與DEA依次加入到步驟⑴中,劇烈攪拌10min;
⑸.將步驟⑷的混合溶液加入到步驟⑶中,攪拌30min后,將混合溶液轉入反應釜中,并將反應釜置于恒溫干燥箱中在180~200℃條件下干燥8~10h,自然冷卻至室溫后取出反應釜,磁分離后得到黑色的MWCNT/CoFe2O4納米管,備用;
⑹.將步驟⑸得到的MWCNT/CoFe2O4用去離子水和乙醇反復洗滌并分散,而后在60℃的條件下真空烘干10~12h,自然冷卻得到干燥的MWCNT/CoFe2O4納米管;
所述利用MWCNT/CoFe2O4磁性碳納米管材合成MWCNT/CoFe2O4@mSiO2的步驟如下:
⑴.將CTAB溶于無水乙醇、濃氨水和去離子水的混合溶液中,充分攪拌溶解;其中,混合液中乙醇、去離子水和濃氨水的體積比為60:80:1,每140~150mL的混合液中分散0.3~0.4 gCTAB;
⑵.將MWCNT/CoFe2O4超聲分散在步驟⑴得到的混合溶液中,機械攪拌30min;其中MWCNT/CoFe2O4與CTAB的質量比為1:3;
⑶.將0.40 ~0.50mL TEOS逐滴加入步驟⑵混合溶液中,室溫下機械攪拌6~8h,磁分離得到含CTAB 的MWCNT/CoFe2O4@mSiO2,備用;
⑷.將步驟⑶中得到的MWCNT/CoFe2O4@mSiO2用去離子水和乙醇反復洗滌并分散,而后在60℃的條件下真空烘干8~10h,自然冷卻得到含CTAB的灰色MWCNT/CoFe2O4@mSiO2,備用;
⑸.將步驟⑷中得到的MWCNT/CoFe2O4@mSiO2溶于丙酮,超聲30 min;轉入三頸燒瓶中,75℃~100℃油浴中回流6~10h后,磁分離,并用丙酮洗滌一次,再添加丙酮繼續回流6~10h;其中,每克含CTAB 的MWCNT/CoFe2O4@mSiO2對應200 mL的丙酮,此回流過程重復2~3次;
⑹.將步驟⑸中磁分離后得到的MWCNT/CoFe2O4@mSiO2用丙酮反復洗滌并分散,而后在60℃的條件下真空烘干8~10h,自然冷卻得到灰色MWCNT/CoFe2O4@mSiO2;
上述制備方法所制備的復合材料為核殼結構,其化學結構式為MWCNT/CoFe2O4@mSiO2;經SEM、TEM測試結果表明該復合材料為管狀形貌,通過SQUID-VSM 測試結果表明該復合材料具有磁性。
2.根據權利要求1所述的制備介孔二氧化硅包覆磁性多壁碳納米管復合材料的方法,其特征是所述反應釜為聚四氟乙烯反應釜,且反應釜內的填充量不超過其容積的80%。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于南陽師范學院,未經南陽師范學院許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710010301.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:縱旋隔離真空斷路器
- 下一篇:一種有機功能介孔氧化硅的合成方法





