[發(fā)明專利]OLED色度調(diào)整方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710008840.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-01-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106653579A | 公開(公告)日: | 2017-05-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐湘?zhèn)?/a>;趙夢(mèng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/027 | 分類號(hào): | H01L21/027;H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京聿宏知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11372 | 代理人: | 吳大建 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | oled 色度 調(diào)整 方法 | ||
1.一種OLED色度調(diào)整方法,其特征在于,包括:
步驟101,對(duì)OLED使用封裝層進(jìn)行封裝之后,在所述封裝層表面覆蓋第一光刻膠,所述第一光刻膠中摻雜染色劑;
步驟102,利用光掩膜板對(duì)所述第一光刻膠進(jìn)行曝光處理;
步驟103,利用顯影液對(duì)經(jīng)過(guò)曝光處理的所述第一光刻膠進(jìn)行處理,以獲得第二光刻膠,所述第二光刻膠上具有呈陣列分布的孔洞。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED色度調(diào)整方法,其特征在于,所述曝光處理采用紫外線曝光。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED色度調(diào)整方法,其特征在于,所述光刻膠為負(fù)性光刻膠。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED色度調(diào)整方法,其特征在于,所述光刻膠為正性光刻膠。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的OLED色度調(diào)整方法,其特征在于,在步驟101之前還包括,在OLED的陰極鍍隔離層,所述隔離層包括有機(jī)薄膜層和無(wú)機(jī)薄膜層;在所述隔離層表面覆蓋所述封裝層,以完成OLED的封裝。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的OLED色度調(diào)整方法,其特征在于,所述封裝層為氮化硅層。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的OLED色度調(diào)整方法,其特征在于,所述有機(jī)薄膜層為聚乙烯薄膜層。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的OLED色度調(diào)整方法,其特征在于,所述無(wú)機(jī)薄膜層為無(wú)機(jī)氧化物薄膜層。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的OLED色度調(diào)整方法,其特征在于,所述在OLED的陰極鍍隔離層具體包括,通過(guò)原子層沉積技術(shù)和/或化學(xué)氣相沉積技術(shù)在OLED的陰極鍍隔離層。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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