[發明專利]一種發光角度可控的芯片級LED封裝器件及封裝工藝

在審

• 申請號: 201710007639.6
• 申請日: 2017-01-05
• 公開（公告）號: CN106784250A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 龔濤;張志寬
• 申請（專利權）人: 蕪湖聚飛光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/58;H01L33/60;H01L33/54;H01L33/56
• 代理公司: 深圳市精英專利事務所44242
• 代理人: 龍丹丹

1.一種發光角度可控的芯片級LED封裝器件，其特征在于，包括底面設有電極的藍寶石LED芯片，所述電極由正極和負極組成，所述正極與負極之間具有空隙，所述LED芯片的頂部和側面設置有擴散層，所述擴散層頂部設置有熒光膠層，所述LED芯片、擴散層、熒光膠層的側面設置有第一白墻膠層，所述LED芯片的藍寶石折射率大于所述擴散層的折射率，所述擴散層的折射率大于所述熒光膠層的折射率。

2.根據權利要求1所述的發光角度可控的芯片級LED封裝器件，其特征在于，所述正極和負極之間的空隙中設置有第二白墻膠層，所述第二白墻膠層底部具有向遠離所述電極方向延伸的延伸部，所述延伸部底面與所述第一白墻膠層底面平齊。

3.根據權利要求2所述的發光角度可控的芯片級LED封裝器件，其特征在于，所述第一白墻膠層與所述擴散層、熒光層相接觸的表面形狀為平面、拋物面或橢球面。

4.根據權利要求3所述的發光角度可控的芯片級LED封裝器件，其特征在于，所述延伸部的厚度為1-200μm。

5.根據權利要求4所述的發光角度可控的芯片級LED封裝器件，其特征在于，所述LED芯片為藍寶石芯片，折射率為1.78，所述擴散層的折射率為1.3-1.7，所述熒光膠層的折射率為1.29-1.69。

6.根據權利要求5所述的發光角度可控的芯片級LED封裝器件，其特征在于，所述擴散層由擴散粉與封裝膠混合制得，所述擴散層的厚度為1-1000μm。

7.根據權利要求6所述的發光角度可控的芯片級LED封裝器件，其特征在于，所述熒光膠層由稀土摻雜的無機熒光粉與封裝膠混合制得，厚度為1-1000μm。

8.根據權利要求7所述的發光角度可控的芯片級LED封裝器件，其特征在于，所述擴散粉為甲基硅烷、苯基硅烷、聚硅氧烷中的至少一種；所述封裝膠為硅膠、硅樹脂、環氧樹脂或聚氨酯；所述第一白墻膠層、第二白墻膠層的反射率不小于95％，材質為二氧化鈦或硫酸鋇。

9.一種發光角度可控的芯片級LED封裝器件的封裝工藝，其特征在于，包括如下步驟：

S1、固晶，將藍寶石LED芯片通過固晶膠固定于耐高溫材料表面；

S2、按照質量比0.1-1:1將稀土摻雜的無機熒光粉與封裝膠混合配制熒光膠，按照質量比0.1-1:1將擴散粉與封裝膠配制擴散層原料；

S3、在所述步驟S1得到的半成品上模壓擴散層、在擴散層頂部模壓熒光膠層；

S4、按照預設的第一白墻膠層的形狀將多余的擴散層和熒光膠層去除；

S5、將所述步驟S4所得到的半成品，轉移到另一耐高溫材料表面，所述耐高溫材料表面對應所述藍寶石LED芯片的電極位置設置有高度為1-200μm的凸臺；

S6：在所述步驟S5得到的半成品上模壓第一白膠層和第二白膠層；

S7、烘烤固化。

10.根據權利要求9所述的發光角度可控的芯片級LED封裝器件的封裝工藝，其特征在于，所述步驟S3、S6中所述的模壓工序，模壓溫度為80-150℃，模壓壓力為15-120kgf/m²，模壓時間為2-10min；所述步驟S7中，所述烘烤固化的烘烤溫度為100-150℃，烘烤時間為2-5h。