[發明專利]改善光學電壓互感器內電場分布的介質包裹法在審
| 申請號： | 201710007331.1 | 申請日： | 2017-01-05 |
| 公開（公告）號： | CN106771470A | 公開（公告）日： | 2017-05-31 |
| 發明（設計）人： | 徐啟峰;黃奕釩;許志坤;項宇鍇 | 申請（專利權）人： | 福州大學 |
| 主分類號： | G01R15/24 | 分類號： | G01R15/24 |
| 代理公司： | 福州元創專利商標代理有限公司35100 | 代理人： | 蔡學俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改善 光學 電壓互感器 電場 分布 介質 包裹 | ||
【權利要求書】：
1.一種改善光學電壓互感器內電場分布的介質包裹法，其特征在于：在高壓電極和地電極間依次設置第一石英玻璃、電光晶體、第二石英玻璃；所述電光晶體的周側包設有氧化鋁陶瓷。
2.根據權利要求1所述的改善光學電壓互感器內電場分布的介質包裹法，其特征在于：所述第一石英玻璃、電光晶體、第二石英玻璃均為圓柱形。
3.根據權利要求1所述的改善光學電壓互感器內電場分布的介質包裹法，其特征在于：所述電光晶體與氧化鋁陶瓷的縱向高度相同。
4.根據權利要求1所述的改善光學電壓互感器內電場分布的介質包裹法，其特征在于：所述電光晶體為鍺酸鉍電光晶體。
5.根據權利要求1所述的改善光學電壓互感器內電場分布的介質包裹法，其特征在于：在光路發生偏移時，所述氧化鋁陶瓷的厚度滿足以下條件：
其中，ε1為光路發生偏移時引入的誤差，d為氧化鋁陶瓷的厚度。
6.根據權利要求1所述的改善光學電壓互感器內電場分布的介質包裹法，其特征在于：在電光晶體發生偏移時，所述氧化鋁陶瓷的厚度滿足以下條件
其中，ε2為電光晶體發生偏移時引入的誤差，d為氧化鋁陶瓷的厚度。
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