[發(fā)明專利]用于早期檢測(cè)TS至PC短路問題的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710006926.5
• 申請(qǐng)日: 2017-01-05
• 公開（公告）號(hào): CN107026099B
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 雷鳴
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 格羅方德半導(dǎo)體公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L21/336
• 代理公司: 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽(yáng)

1.一種用于檢測(cè)源極/漏極至柵極缺陷的方法，該方法包括：

提供半導(dǎo)體襯底，該襯底具有多個(gè)部分形成的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管裝置；

對(duì)該襯底執(zhí)行第一缺陷檢測(cè)，該第一缺陷檢測(cè)包括先進(jìn)充電控制；

基于該第一缺陷檢測(cè)識(shí)別該襯底上的一個(gè)或多個(gè)亮電壓對(duì)比候選；

對(duì)該一個(gè)或多個(gè)亮電壓對(duì)比候選執(zhí)行第二缺陷檢測(cè)，該第二缺陷檢測(cè)在沒有該先進(jìn)充電控制的情況下執(zhí)行；以及

基于在該第一缺陷檢測(cè)及該第二缺陷檢測(cè)期間出現(xiàn)的該一個(gè)或多個(gè)亮電壓對(duì)比候選檢測(cè)該襯底上的一個(gè)或多個(gè)亮電壓對(duì)比缺陷，其中，各該一個(gè)或多個(gè)亮電壓對(duì)比缺陷包括源極/漏極至柵極短路。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該第一缺陷檢測(cè)及該第二缺陷檢測(cè)包括電子束檢測(cè)。

3.一種用于檢測(cè)源極/漏極至柵極缺陷的方法，該方法包括：

形成靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器裝置，其具有至少一個(gè)n節(jié)點(diǎn)、至少一個(gè)p節(jié)點(diǎn)、以及至少一個(gè)共用接觸，該至少一個(gè)共用接觸將該至少一個(gè)n節(jié)點(diǎn)與該至少一個(gè)p節(jié)點(diǎn)連接；

確定該n節(jié)點(diǎn)的閾值電壓的上限；

向該n節(jié)點(diǎn)的至少一個(gè)源極/漏極施加小于或等于該上限的電壓；

基于所施加的該電壓，確定在該n節(jié)點(diǎn)上是否存在源極/漏極至柵極短路；以及

根據(jù)由基于電子檢測(cè)所引起的溝道輔助導(dǎo)電來確定是否存在該源極/漏極至柵極短路。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，該至少一個(gè)p節(jié)點(diǎn)包括針對(duì)該n節(jié)點(diǎn)的虛擬接地。

5.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，該閾值電壓包括小于該至少一個(gè)源極/漏極電壓的一半。