[發(fā)明專利]NLDMOS集成器件及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710005275.8 | 申請日： | 2017-01-04 |
| 公開（公告）號： | CN106876337B | 公開（公告）日： | 2019-01-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 曹進偉;陳孟邦;喬世成;蔡榮懷;黃國華 | 申請（專利權(quán)）人： | 宗仁科技（平潭）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8234 | 分類號： | H01L21/8234;H01L27/088;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳中一專利商標事務所 44237 | 代理人： | 陽開亮 |
| 地址： | 350400 福建省福州市*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | nldmos 集成 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種NLDMOS集成器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供P型單晶硅襯底；
在所述P型單晶硅襯底上依次形成第一N阱區(qū)、第二N阱區(qū)和P阱區(qū)；其中，所述第一N阱區(qū)形成過程為：在所述P型單晶硅襯底上沉積墊氧化層和氮化硅層，利用光刻、蝕刻技術(shù)定義所述第一N阱區(qū)作為PMOS單元的N阱區(qū)，并對所述N阱區(qū)進行離子注入摻雜；所述第二N阱區(qū)形成過程為：去除定義所述第一N阱區(qū)時的光阻，利用光刻、蝕刻技術(shù)定義出所述第二N阱區(qū)作為NLDMOS單元的漂移區(qū)，并對所述漂移區(qū)進行離子注入摻雜，摻雜注入劑量為2E12～5E12的磷；所述P阱區(qū)形成過程為：將形成的所述第一N阱區(qū)和第二N阱區(qū)退火處理，并去除所述第一N阱區(qū)和第二N阱區(qū)上的所述氮化硅層，整面做所述P阱區(qū)的離子注入摻雜，且所述第一N阱區(qū)和第二N阱區(qū)的區(qū)域在去除其上形成的所述氮化硅層后，生長有二氧化硅，從而未有P型離子注入進去；
形成OD區(qū)和P-field區(qū)，在所述P型單晶硅襯底上生長場氧化層和柵氧化層，并在所述柵氧化層上形成NMOS柵極、PMOS柵極和NLDMOS柵極，并形成圖案化的N+區(qū)和P+區(qū)；
在所述N+區(qū)和P+區(qū)挖孔形成接觸通孔，在所述接觸通孔內(nèi)濺鍍金屬層，形成引線和打線窗口。
2.如權(quán)利要求1所述的NLDMOS集成器件的制備方法，其特征在于，所述場氧化層形成后，先生長一層犧牲氧化層，然后去掉所述犧牲氧化層，再生長所述柵氧化層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
