[發明專利]分水器、冷卻系統及醫療影像設備有效
| 申請號: | 201710004947.3 | 申請日: | 2017-01-04 |
| 公開(公告)號: | CN106816488B | 公開(公告)日: | 2019-01-25 |
| 發明(設計)人: | 崔雨;趙國濤;李燕 | 申請(專利權)人: | 沈陽東軟醫療系統有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/024 | 分類號: | H01L31/024;H01L23/473 |
| 代理公司: | 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415 | 代理人: | 林祥 |
| 地址: | 110179 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 分水 冷卻系統 醫療 影像 設備 | ||
本發明提供一種分水器、冷卻系統及醫療影像設備。所述分水器包括:進水分水器和套設于進水分水器外部的回水分水器,回水分水器上設有第一回水管和第二回水管,進水分水器上設有第一進水管和第二進水管,第一進水管和第二進水管分別穿出于回水分水器;其中,第一進水管和第一回水管與外部待冷卻設備相連,第二進水管和第二回水管與外部水冷設備相連。本發明的分水器,通過將回水分水器套設在進水分水器的外部,使得進水分水器內置到回水分水器的內部,形成了具有雙層壁形式的分水器,能夠從根本上使進水分水器的冷凝水消除,并且能夠有效減少進水分水器的沿程溫度損失,進而有效提高進水分水器的冷卻效率及解決進水分水器冷凝等問題。
技術領域
本發明涉及醫療器械技術領域,尤其涉及分水器、冷卻系統及醫療影像設備。
背景技術
TOF-PET(Time of flight-Positron Emission Tomography,基于飛行時間的正電子發射斷層掃描技術)設備等醫療影像產品中通常都會用到探測器,而SiPM(SiliconPhotomultipliers,硅光電探測器件)作為一種新型的半導體探測器,其緊湊的結構及較高的信噪比,大大提高了TOF-PET設備的空間分辨率,并且其快速的時間響應特性能夠滿足TOF-PET設備的技術要求。然而SiPM半導體探測器對溫度及溫度變化(溫差)極其敏感,所以必須通過一定的SiPM探測器冷卻系統設計才能實現其正常工作的溫控要求,從而使SiPM探測器工作性能達到最佳狀態。
SiPM半導體探測器基于水冷的方法以特定的水路為載體,實現對SiPM半導體探測器降溫,整個冷卻系統存在幾種不同介質溫度,包括環境溫度、電路板溫度及冷卻系統溫度等,通常情況下幾種介質及溫度關系如下:電路板溫度>環境溫度>分水器溫度,可以知道分水器作為水冷系統中重要元件在幾種介質溫度中通常是最低的。
一般常用的分水器包括進水分水器和回水分水器,進水分水器作為冷卻系統中供冷的起始端其溫度一般最低,所以在周圍幾種不同程度高溫介質溫度作用下存在冷凝及沿程溫度損失問題。目前比較常用的技術手段是在分水器外層包裹隔熱材料等減少這些問題的發生。但是,用隔熱材料包裹分水器的方法只能是從一定程度上減少分水器的冷凝和沿程溫度損失,而且操作方法復雜不易標準化,不能從根本上解決分水器的冷凝和沿程溫度損失的問題。
發明內容
本發明提供一種分水器、冷卻系統及醫療影像設備。
一種分水器,包括:進水分水器和套設于所述進水分水器外部的回水分水器,所述回水分水器上設有第一回水管和第二回水管,所述進水分水器上設有第一進水管和第二進水管,所述第一進水管和所述第二進水管分別穿出于所述回水分水器;其中,所述第一進水管和所述第一回水管與外部待冷卻設備相連,所述第二進水管和所述第二回水管與外部水冷設備相連。
本發明的分水器,通過將回水分水器套設在進水分水器的外部,使得溫度最低最容易產生冷凝的進水分水器內置到回水分水器的內部,形成了具有雙層壁形式的分水器,能夠從根本上使進水分水器的冷凝水消除,并且能夠有效減少進水分水器的沿程溫度損失,進而有效提高進水分水器的冷卻效率及解決進水分水器冷凝等問題。
本發明的分水器的進一步改進在于:
所述回水分水器包括相互扣合的第一回水主體和第二回水主體,所述第一回水主體和所述第二回水主體之間形成有容置腔;所述第一回水管設置于所述第一回水主體上,所述第二回水管設置于所述第二回水主體上;
所述進水分水器包括進水主體,所述進水主體嵌設于所述容置腔內,所述第一進水管和所述第二進水管設置于所述進水主體上。
本發明的分水器的進一步改進在于:
所述第一進水管和所述第二進水管位于所述進水主體的兩側;
所述第一回水主體上設有第一通孔,所述第一進水管通過所述第一通孔而穿出于所述第一回水主體;
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





