[發明專利]帶有過熱保護功能的射頻LDMOS晶體管

有效

• 申請號: 201710004433.8
• 申請日: 2017-01-04
• 公開（公告）號: CN106783841B
• 公開（公告）日: 2019-11-01
• 發明（設計）人: 鄧小川;劉冬冬;宋凌云;童星;萬殊燕;楊文馳;譚犇;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/06
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232
• 代理人: 敖歡;葛啟函

1.一種帶有過熱保護功能的射頻LDMOS晶體管，其特征在于：包括集成在同一芯片上的SONOS器件、NPN BJT熱傳感器和射頻LDMOS器件；所述SONOS器件柵極存儲有正電荷；SONOS器件柵極通過金屬連接至NPN BJT熱傳感器基極，為NPN BJT熱傳感器的發射結提供偏置；NPN BJT熱傳感器的集電極接在LDMOS柵極上，為LDMOS柵極提供電流泄放通道。

2.根據權利要求1所述的帶有過熱保護功能的射頻LDMOS晶體管，其特征在于：所述SONOS器件包括：P型重摻雜襯底(1)、P型外延層(2)、SONOS器件金屬sinker(141)、第一P阱(41)、SONOS器件P型重摻雜接觸區(131)、SONOS器件N型重摻雜源極(121)、SONOS器件N型重摻雜漏極(122)、SONOS器件第一層二氧化硅電荷阻擋層(51)、SONOS器件氮化硅電荷儲存層(6)、SONOS器件第二層二氧化硅電荷阻擋層(7)、SONOS器件多晶硅柵極(82)、二氧化硅介質層(10)、SONOS器件源極金屬(151)、SONOS器件漏極金屬(20)；所述P型外延層(2)位于P型重摻雜襯底(1)上方，第一P阱(41)位于P型外延層(2)中，SONOS器件金屬sinker(141)位于第一P阱(41)左側，SONOS器件P型重摻雜接觸區(131)位于第一P阱(41)內部左側，SONOS器件N型重摻雜源極(121)位于第一P阱(41)內部與SONOS器件P型重摻雜接觸區(131)緊鄰且位于SONOS器件P型重摻雜接觸區(131)的右側，SONOS器件N型重摻雜漏極(122)位于第一P阱(41)內部SONOS器件N型重摻雜源極(121)的右側；SONOS器件第一層二氧化硅電荷阻擋層(51)位于第一P阱(41)上方且從SONOS器件N型重摻雜源極(121)右邊緣延伸到SONOS器件N型重摻雜漏極(122)左邊緣；SONOS器件氮化硅電荷儲存層(6)位于SONOS器件第一層二氧化硅電荷阻擋層(51)上方；SONOS器件第二層二氧化硅電荷阻擋層(7)位于SONOS器件氮化硅電荷儲存層(6)上方；SONOS器件多晶硅柵極(82)位于SONOS器件第二層二氧化硅電荷阻擋層(7)上方；二氧化硅介質層(10)位于SONOS器件表面；SONOS器件源極金屬(151)從SONOS器件金屬sinker(141)左側邊緣上方延伸到SONOS器件N型重摻雜源極(121)左側上方；SONOS器件漏極金屬(20)位于SONOS器件N型重摻雜漏極(122)的上方。

3.根據權利要求1所述的帶有過熱保護功能的射頻LDMOS晶體管，其特征在于：所述NPNBJT熱傳感器包括：P型重摻雜襯底(1)、P型外延層(2)、第一N阱(31)、第二P阱(42)、NPN型BJT傳感器N型重摻雜集電極接觸區(123)、NPN型BJT傳感器P型重摻雜基區接觸區(132)、NPN型BJT傳感器N型重摻雜發射極接觸區(124)、NPN型BJT集電極金屬(16)、NPN型BJT基極金屬(17)、NPN型BJT發射極金屬(18)；P型外延層(2)位于P型重摻雜襯底(1)上方；第一N阱(31)位于P型外延層(2)中，第二P阱(42)位于第一N阱(31)內部中間位置；NPN型BJT傳感器N型重摻雜集電極接觸區(123)位于第一N阱(31)內部、第二P阱(42)的左右兩側；NPN型BJT傳感器N型重摻雜發射極接觸區(124)位于第二P阱(42)內部中間位置；NPN型BJT傳感器P型重摻雜基區接觸區(132)位于第二P阱(42)內部、NPN型BJT傳感器N型重摻雜發射極接觸區(124)的左右兩側；NPN型BJT集電極金屬(16)位于NPN型BJT傳感器N型重摻雜集電極接觸區(123)上方；NPN型BJT基極金屬(17)位于NPN型BJT傳感器P型重摻雜基區接觸區(132)上方；NPN型BJT發射極金屬(18)位于NPN型BJT傳感器N型重摻雜發射極接觸區(124)上方。