[發(fā)明專利]防止光刻膠剝落的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710004166.4 | 申請日： | 2017-01-04 |
| 公開（公告）號： | CN106610569A | 公開（公告）日： | 2017-05-03 |
| 發(fā)明（設計）人： | 劉善善;吳兵;曹俊 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/16 | 分類號： | G03F7/16 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司31211 | 代理人： | 劉昌榮 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 防止 光刻 剝落 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種防止光刻膠剝落的方法，用于離子注入工藝之后，刻蝕工藝之前，其特征在于，包括以下步驟：
1)對硅基板表面進行處理，將沒有覆蓋光刻膠的硅基板表面變成親水性；
2)用水處理硅基板表面，使沒有覆蓋光刻膠的硅基板吸水膨脹；
3)對光刻膠進行固化處理。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅基板為帶有氧化膜的硅基板。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1)，采用等離子體刻蝕處理硅基板表面。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述等離子體為ASH等離子體。
5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，步驟1)，處理溫度為200～300℃，壓力1～10torr，時間為30～60s。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2)，所述水為去離子水，處理時間為1～10min。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3)，采用紫外光固化處理光刻膠。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述紫外光為UVC紫外光。
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