[發明專利]防塵薄膜組件有效
| 申請號： | 201710003770.5 | 申請日： | 2017-01-04 |
| 公開（公告）號： | CN106950796B | 公開（公告）日： | 2022-11-18 |
| 發明（設計）人： | 濱田裕一 | 申請（專利權）人： | 信越化學工業株式會社 |
| 主分類號： | G03F1/62 | 分類號： | G03F1/62;G03F1/64 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 馬爽;臧建明 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 防塵 薄膜 組件 | ||
【權利要求書】：
1.一種防塵薄膜組件，其特征在于，防塵薄膜組件框架的內側面和上端面以及下端面所成的各角部從截面來看為大略曲線狀。
2.根據權利要求1的防塵薄膜組件，其特征在于，所述各角部被R倒棱。
3.根據權利要求1的防塵薄膜組件，其特征在于，所述各角部被C倒棱，防塵薄膜組件框架的內側面和該被C倒棱而形成的C倒棱面所成的角部，被R倒棱。
4.根據權利要求1的防塵薄膜組件，其特征在于，所述各角部被C倒棱，防塵薄膜組件框架的內側面和該被C倒棱形成的C倒棱面所成的角部，被第二次C倒棱。
5.根據權利要求4的防塵薄膜組件，其特征在于，防塵薄膜組件框架的內側面和所述被第二次C倒棱形成的二次C倒棱面所成的角部的角度以及所述C倒棱面和所述二次C倒棱面所成的角部的角度為比135°大。
6.權利要求4或權利要求5的防塵薄膜組件，其特征在于，防塵薄膜組件框架的內側面和所述被第二次C倒棱形成的二次C倒棱面所成的角部以及所述C倒棱面和所述二次C倒棱面所成的角部被R倒棱或被C倒棱。
7.根據權利要求1至權利要求6的任1項的防塵薄膜組件防塵薄膜組件，其特征在于，防塵薄膜組件框架被附與陽極氧化皮膜。
8.根據權利要求1至權利要求6的任1項的防塵薄膜組件防塵薄膜組件，其特征在于，防塵薄膜組件框架被附與丙烯酸系電著涂裝樹脂皮膜。
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G03 攝影術；電影術；利用了光波以外其他波的類似技術；電記錄術；全息攝影術
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
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