[發(fā)明專利]顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710003184.0 | 申請日: | 2017-01-03 |
| 公開(公告)號: | CN107086232B | 公開(公告)日: | 2020-09-11 |
| 發(fā)明(設計)人: | 金谷平祐 | 申請(專利權)人: | 株式會社日本顯示器 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L51/00 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產(chǎn)權代理有限公司 11322 | 代理人: | 邸萬杰;徐飛躍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
本發(fā)明提供可抑制變形時發(fā)光區(qū)域被破壞而發(fā)生顯示不良的情況的可撓性的有機EL顯示裝置及其制作方法。該顯示裝置具有基材和在基材的第一面上分別具有發(fā)光區(qū)域的多個發(fā)光元件,在基材的第二面具有與被夾在選自上述多個發(fā)光元件的相鄰兩個發(fā)光元件的發(fā)光區(qū)域之間的非發(fā)光區(qū)域重疊的第一槽。或者,該顯示裝置具有基材和在基材的第一面上分別具有發(fā)光元件的多個像素,在基材的第二面具有與被夾在選自多個像素的相鄰兩個像素之間的區(qū)域重疊的第一槽,在基材的第一面具有與第一槽重疊且由基材構成的脊部。
技術領域
本發(fā)明涉及顯示裝置及顯示裝置的制作方法。例如涉及可撓性的EL顯示裝置及其制作方法。
背景技術
作為顯示裝置的代表例,能夠列舉在各像素具有液晶元件或發(fā)光元件的液晶顯示裝置和有機EL(Electro luminescence:電致發(fā)光)顯示裝置等。這些顯示裝置在形成于基板上的多個像素內(nèi)分別具有液晶元件或者有機發(fā)光元件(以下,發(fā)光元件)。液晶元件和發(fā)光元件在一對電極間分別具有含有液晶或者有機化合物的層(以下,有機EL層),通過向一對電極間施加電壓或者供給電流而被驅(qū)動。
與液晶元件的情況不同,由于發(fā)光元件作為全固體的顯示元件形成,所以即使對基板賦予可撓性而折彎或彎曲,基板間的縫隙變化也不受影響,原則上對顯示品質(zhì)沒有影響。于是,制造了在可撓性的基板上設置發(fā)光元件的所謂可撓性顯示器(薄板顯示器)。例如在日本特開2015-72362號公報和日本特開2014-182306號公報中公開有可折彎的可撓性有機EL顯示裝置。
但是,在使可撓性的顯示裝置變形的情況下,由于構成顯示裝置的膜的硬度和厚度各自不同,所以在膜的硬度存在大的差別的界面容易發(fā)生剝離,從而出現(xiàn)對發(fā)光元件的損害,導致顯示不良。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供可抑制變形時發(fā)光區(qū)域被破壞而發(fā)生顯示不良的情況的具有可撓性的有機EL顯示裝置及其制作方法。
本發(fā)明的一個實施方式為一種顯示裝置,其具有:基材;和在基材的第一面上分別具有發(fā)光區(qū)域的多個發(fā)光元件,在基材的第二面具有第一槽,該第一槽與被夾在選自上述多個發(fā)光元件的相鄰的兩個發(fā)光元件的發(fā)光區(qū)域之間的非發(fā)光區(qū)域重疊。
本發(fā)明的一個實施方式為一種顯示裝置,其基材;在基材的第一面上分別具有發(fā)光元件的多個像素;和第一槽,其在基材的第二面,與被夾在選自多個像素的相鄰的兩個像素之間的區(qū)域重疊,在基材的第一面具有與第一槽重疊且由基材構成的脊部。
本發(fā)明的一個實施方式為一種顯示裝置的制作方法,其包括以下步驟:在具有脊部的支承基板上形成基材,在基材的一個面上,以脊部與夾于多個像素間的區(qū)域重疊的方式形成多個像素,將支承基板從基材分離。
根據(jù)上述結構,能夠提供可抑制變形時發(fā)光區(qū)域被破壞而發(fā)生顯示不良的情況的具有可撓性的有機EL顯示裝置及其制作方法。
附圖說明
圖1是一個實施方式的顯示裝置的俯視示意圖。
圖2A、圖2B是一個實施方式的顯示裝置的俯視示意圖。
圖3是一個實施方式的顯示裝置的剖視示意圖。
圖4是一個實施方式的顯示裝置的剖視示意圖。
圖5是一個實施方式的顯示裝置的俯視示意圖。
圖6是一個實施方式的顯示裝置的剖視示意圖。
圖7A至圖7C是表示一個實施方式的顯示裝置的制作方法的示意圖。
圖8A至圖8C是表示一個實施方式的顯示裝置的制作方法的示意圖。
圖9A至圖9C是表示一個實施方式的顯示裝置的制作方法的示意圖。
圖10A、圖10B是表示一個實施方式的顯示裝置的制作方法的示意圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





