[發明專利]一種陣列基板及顯示裝置

在審

• 申請號: 201710002321.9
• 申請日: 2017-01-03
• 公開（公告）號: CN106773413A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 安立揚
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙)44300
• 代理人: 黃威

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：多條柵極線、多條數據線及由所述多條柵極線與所述多條數據線交叉形成的多個像素單元，每個所述像素單元包括水平方向依次排列的主像素區、第一子像素區及第二子像素區；

設N為正整數，一個所述像素單元分別與第N條和第N+1條所述柵極線連接，當第N條所述柵極線開啟，所述數據線對所述主像素區、所述第一子像素區及所述第二子像素區進行充電，當第N+1條所述柵極線開啟，所述主像素區、所述第一子像素區及所述第二子像素區的內部可發生電容耦合作用，使得所述主像素區、所述第一子像素區及所述第二子像素區的電位互不相同。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述主像素區包括第一薄膜晶體管，所述第一子像素區包括第二薄膜晶體管，所述第二子像素區包括第三薄膜晶體管，且所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管與所述第三薄膜晶體管的柵極均連接且只連接第N條所述柵極線。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第二子像素區還包括第四薄膜晶體管，所述第四薄膜晶體管的柵極連接且只連接第N+1條所述柵極線。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管與所述第三薄膜晶體管的源極均與同一條所述數據線連接，所述第一薄膜晶體管的漏極分別連接有第一液晶電容與第一存儲電容，所述第二薄膜晶體管的漏極分別連接有第二液晶電容與第二存儲電容，所述第三薄膜晶體管的漏極分別連接有第三液晶電容與第三存儲電容。

5.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶體管的漏極與所述第二薄膜晶體管的漏極之間設有第二電容，所述第四薄膜晶體管的漏極與所述第三薄膜晶體管的漏極之間設有第一電容，所述第四薄膜晶體管的源極與所述第二薄膜晶體管的漏極連接。

6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，當第N條所述柵極線開啟，所述數據線對所述第一液晶電容、所述第一存儲電容、所述第二液晶電容、所述第二存儲電容、所述第三液晶電容、所述第三存儲電容、所述第一電容及所述第二電容進行充電，當第N+1條所述柵極線開啟，所述第一電容與所述第二存儲電容和所述第二液晶電容發生電容耦合作用，所述第二電容與所述第一存儲電容和所述第一液晶電容發生電容耦合作用，使得所述主像素區、所述第一子像素區及所述第二子像素區的電位互不相同。

7.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管與所述第三薄膜晶體管共同連接的所述數據線位于所述主像素區與所述第一子像素區之間。

8.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一存儲電容、所述第二存儲電容與所述第三存儲電容的一端均與公共電極連接。

9.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一液晶電容、所述第二液晶電容與所述第三液晶電容的一端均接地。

10.一種顯示裝置，其特征在于，其包括權利要求1～9任一項所述的陣列基板。