[發明專利]半導體模塊的制造方法及半導體模塊

有效

• 申請號: 201710001453.X
• 申請日: 2017-01-03
• 公開（公告）號: CN107086183B
• 公開（公告）日: 2021-12-28
• 發明（設計）人: 野中智己
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/52;H01L23/31;H01L23/48
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 萬捷

本發明的半導體模塊及其制造方法能夠抑制外部端子上形成毛邊。首先，在接合至基板(20)且與基板(20)電連接的銷子狀的外部端子(25)的外表面部設置流出阻止部(30)。接著，在通過使容納基板(20)的第一空腔(101)和與第一空腔(101)連通且容納外部端子(25)的第二空腔(102)相重合而構成的、具有固定凹模(110)和可動凹模(120)的模具(100)中，使固定凹模(110)與可動凹模(120)重合以使得流出阻止部(30)夾在當中。然后，向第一空腔(101)注入密封樹脂(28)來密封基板(20)。

技術領域

本發明涉及半導體模塊的制造方法及半導體模塊。

背景技術

半導體模塊通過將芯片安裝面所承載的半導體元件以及與該半導體元件通過導線電連接的導線部用密封樹脂密封而成。該半導體模塊通過以下工序而構成，即，將半導體元件與芯片安裝面一起放入由凸模和凹模的模具所構成的空腔內，用凸模和凹模夾持導線部，再向空腔內注入樹脂。此時，若在導線部與凸模及凹模之間產生縫隙，則樹脂會進入該縫隙，從而在導線部會出現毛邊。為了防止毛邊的產生，提出了通過在導線部的前端部設置突起部來防止樹脂侵入的方法(例如，參照專利文獻1)。

然而，半導體模塊包含多個功率半導體元件，被用作為功率轉換裝置或者開關裝置。例如，半導體模塊可以由包含IGBT(Insulated Gate Bipolar Transisitor：絕緣柵雙極型晶體管)、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金屬-氧化物半導體場效應晶體管)等的半導體芯片并聯而成，起到開關裝置的作用(例如，參照專利文獻2)。

上述半導體模塊中，也通過在模具的空腔內配置絕緣基板、半導體元件、印刷基板以及外部端子再向空腔內注入樹脂而制成。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利特開平6-216293號公報

專利文獻2：日本專利特開2014-90016號公報

發明內容

本發明所要解決的技術問題

然而，專利文獻2的半導體模塊中，也與專利文獻1同樣地，樹脂進入模具與銷子狀的外部端子的間隙，從而在該外部端子上會形成毛邊。在形成了毛邊的情況下，銷子狀的外部端子的電導通受到阻礙的可能性變高，存在半導體模塊的功能、性能不能充分發揮，從而半導體模塊的特性可能變差。

本發明是鑒于上述情況而得以完成，其目的在于，提供能夠抑制外部端子上形成毛邊的半導體模塊的制造方法及半導體模塊。

解決技術問題所采用的技術方案

根據本發明的一觀點，提供了一種半導體模塊的制造方法，該制造方法包括以下工序：預備銷子狀的外部端子的工序；將所述外部端子固定至基板并與所述基板電連接的工序；預備包括第一模具部分及第二模具部分的模具，構成將所述第一模具部分及所述第二模具部分進行組合以容納所述基板的第一空腔和與所述第一空腔連通并容納所述外部端子的第二空腔，使所述第一模具部分的分型面與所述第二模具部分的分型面相重合，從而夾持在所述外部端子的外表面部設置的流出阻止部的工序；以及向所述第一空腔注入樹脂來密封所述基板的工序。

另外，根據本發明的一觀點，提供了一種半導體模塊，該半導體模塊包括：絕緣基板；半導體芯片，包括第一電極和與所述第一電極相對的第二電極，且被搭載在所述絕緣基板；密封樹脂，密封所述絕緣基板及所述半導體芯片，并具有上表面；與所述第一電極電連接的第一外部端子及第二外部端子；以及與所述第二電極電連接的第三外部端子及第四外部端子，所述第一外部端子、所述第二外部端子、所述第三外部端子以及所述第四外部端子分別具有流出阻止部，所述第一外部端子與所述第三外部端子沿所述上表面的長邊方向而配置，所述第二外部端子與所述第四外部端子沿所述上表面的長邊方向而配置，并且，所述流出阻止部沿所述上表面而配置。