[發明專利]一種用于輻照生產裂變99Mo的低濃鈾鈾箔靶件有效
| 申請號: | 201710001111.8 | 申請日: | 2017-01-03 |
| 公開(公告)號: | CN106875999B | 公開(公告)日: | 2019-01-29 |
| 發明(設計)人: | 于寧文;羅志福;鄧新榮;向學琴;梁積新;沈亦佳 | 申請(專利權)人: | 中國原子能科學研究院 |
| 主分類號: | G21G1/02 | 分類號: | G21G1/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 102413 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 輻照 生產 裂變 99 mo 低濃鈾鈾箔靶件 | ||
1.一種用于輻照生產裂變99Mo的低濃鈾鈾箔靶件,其特征在于,該靶件為“三明治”式結構,包括內靶筒、外靶筒和鈾箔;所述鈾箔位于內靶筒和外靶筒之間;
所述內靶筒的內徑不變,外壁設計為錐形結構,錐度為1:160;
所述鈾箔包裹于內靶筒外側,鈾箔的厚度為120~150μm,鈾箔的內外表面均鍍了一層裂變反沖保護層,該保護層的厚度為12~18μm;所述裂變反沖保護層的材質為Ni,該材質是通過電鍍的方式鍍在鈾箔上,即得到U-Ni金屬箔;
所述外靶筒的外徑不變,內壁設計為錐形結構,外靶筒的內徑及內壁錐度分別與內靶筒的外徑及外壁錐度相適配;該低濃鈾鈾箔靶件,是使用擠脹器對靶件進行擠脹的,使用擠脹器反復擠脹至內靶筒-U-Ni金屬箔-外靶筒所有接觸面均勻緊密接觸且膨脹量突破內靶筒原幾何尺寸的0.2%;擠脹后將兩端因膨脹而變損的部分切除,兩端各切除40mm,兩端口酸蝕處理,去掉氧化層,清水洗凈,采用電子束焊封并采用X光對焊縫進行密封檢驗。
2.根據權利要求1所述的低濃鈾鈾箔靶件,其特征在于,所述內靶筒和外靶筒的材質為Al、Mg或Zr。
3.根據權利要求1所述的低濃鈾鈾箔靶件,其特征在于,所述內靶筒和外靶筒的材質為Al,外靶筒和內靶筒最薄端的壁厚為0.8~2mm。
4.根據權利要求1所述的低濃鈾鈾箔靶件,其特征在于,所述鈾箔在鍍裂變反沖保護層前后均進行熱力性能處理,其中鍍裂變反沖保護層前在400~500℃的高溫爐中進行熱處理2~3小時,鍍裂變反沖保護層后在700℃的高溫爐中熱處理2~3小時。
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