[其他]半導體裝置

有效

• 申請號: 201690001618.2
• 申請日: 2016-04-01
• 公開（公告）號: CN209150089U
• 公開（公告）日: 2019-07-23
• 發明（設計）人: 中田洋輔;川瀨達也;石原三紀夫;宮本昇
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/36
• 分類號: H01L23/36;H01L25/07;H01L25/18
• 代理公司: 北京華夏正合知識產權代理事務所(普通合伙) 11017
• 代理人: 蔣國偉;孫桂江

1.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

襯底材料，其包括絕緣襯底、第1導體襯底、第2導體襯底和第3導體襯底，其中，所述第1導體襯底和所述第2導體襯底在所述絕緣襯底的一側的主表面上彼此隔開間隔配置，所述第3導體襯底配置在所述絕緣襯底的與所述一側的主表面相反的一側即另一側的主表面上；

半導體元件，其連接于所述第1導體襯底的與所述絕緣襯底相反的一側；和

端子，其連接于所述半導體元件的與所述第1導體襯底相反的一側，

所述端子從所述半導體元件上的區域延伸到所述第2導體襯底的上方的區域，并且與所述第2導體襯底連接，

所述襯底材料、所述半導體元件和所述端子的一部分被樹脂密封，

所述第3導體襯底從所述樹脂露出。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述端子與所述第2導體襯底直接連接。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述端子的位于所述襯底材料側的第1端子表面在所述第2導體襯底的正上方距所述襯底材料的距離比在所述第1導體襯底的正上方距所述襯底材料的距離短。

4.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述端子的熱容量比所述第1導體襯底的熱容量大。

5.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

還具有第1熱容量體，該第1熱容量體位于在所述第1導體襯底的正上方的所述端子的與所述半導體元件相反的一側，

所述第1熱容量體的熱容量比所述第1導體襯底和所述第2導體襯底的熱容量大。

6.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

還具有第2熱容量體，該第2熱容量體位于在所述第2導體襯底的正上方的所述端子的與所述襯底材料相反的一側，

所述第2熱容量體的熱容量比所述第1導體襯底和所述第2導體襯底的熱容量大。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述端子通過第3熱容量體與所述第2導體襯底連接。

8.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述端子的位于與所述襯底材料相反的一側的第2端子表面至少在所述第1導體襯底和所述第2導體襯底的正上方被所述樹脂覆蓋。

9.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體元件具有作為開關的功能和作為回流二極管的功能。

10.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體元件由寬帶隙半導體構成。

11.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述襯底材料還包括第4導體襯底，該第4導體襯底在所述絕緣襯底的所述一側的主表面上與所述第1導體襯底和所述第2導體襯底彼此隔開間隔配置，并且，

所述半導體裝置具有：

其他半導體元件，其連接于所述第4導體襯底的與所述絕緣襯底相反的一側；和

其他端子，其連接于所述其他半導體元件的與所述第4導體襯底相反的一側，

所述第1導體襯底包括連接有所述半導體元件的第1區域和所述第1區域以外的第2區域，

所述其他端子從所述其他半導體元件上的區域延伸到所述第1導體襯底上的所述第2區域，并且與所述第1導體襯底的所述第2區域連接。