[發(fā)明專利]超導(dǎo)導(dǎo)線及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680091510.1
• 申請日: 2016-12-16
• 公開（公告）號(hào): CN110088851A
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 大木康太郎;本田元?dú)?/a>
• 申請（專利權(quán)）人: 住友電氣工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01B12/06
• 分類號(hào): H01B12/06
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

一種超導(dǎo)導(dǎo)線及其制造方法。該超導(dǎo)導(dǎo)線包括：金屬襯底、在金屬襯底上的中間層、在中間層上的超導(dǎo)材料層、以及在超導(dǎo)材料層上的覆蓋層。覆蓋層包括在超導(dǎo)材料層上的保護(hù)層。由中間層和超導(dǎo)材料層所形成的第一堆疊具有1.1V或更大的擊穿電壓。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種超導(dǎo)導(dǎo)線及其制造方法。

背景技術(shù)

WO2013/165001(PTL 1)公開了這樣一種超導(dǎo)導(dǎo)線，該超導(dǎo)導(dǎo)線包括金屬襯底、在金屬襯底上的中間層、在中間層上的超導(dǎo)材料層、以及在超導(dǎo)材料層上的保護(hù)層。

引用列表

專利文獻(xiàn)

PTL 1：WO2013/165001

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的超導(dǎo)導(dǎo)線包括金屬襯底、在金屬襯底上的中間層、在中間層上的超導(dǎo)材料層、以及在超導(dǎo)材料層上的覆蓋層。覆蓋層包括在超導(dǎo)材料層上的保護(hù)層。由中間層和超導(dǎo)材料層所形成的第一堆疊具有1.1V或更高的擊穿電壓。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的用于制造超導(dǎo)導(dǎo)線的方法包括：在金屬襯底上形成中間層，在中間層上形成超導(dǎo)材料層，以及在超導(dǎo)材料層上形成覆蓋層。形成覆蓋層包括在超導(dǎo)材料層上形成保護(hù)層。由中間層和超導(dǎo)材料層所形成的第一堆疊具有1.1V或更高的擊穿電壓。

附圖說明

圖1是根據(jù)實(shí)施例1的超導(dǎo)導(dǎo)線的示意性橫截面圖。

圖2是用于對測量根據(jù)實(shí)施例1的超導(dǎo)導(dǎo)線的擊穿電壓的方法進(jìn)行說明的示意性橫截面圖。

圖3是用于對測量根據(jù)實(shí)施例1的超導(dǎo)導(dǎo)線的擊穿電壓的方法進(jìn)行說明的示意性平面圖。

圖4是圖1所示的根據(jù)實(shí)施例1的超導(dǎo)導(dǎo)線的區(qū)域IV的示意性放大局部橫截面圖。

圖5是用于制造根據(jù)實(shí)施例1的超導(dǎo)導(dǎo)線的方法的流程圖。

圖6是用于對在制造根據(jù)實(shí)施例1的超導(dǎo)導(dǎo)線的方法中形成覆蓋層的過程進(jìn)行說明的流程圖。

圖7是用于對用于制造根據(jù)實(shí)施例1的超導(dǎo)導(dǎo)線的方法中的一個(gè)過程進(jìn)行說明的示意性橫截面圖。

圖8是用于對根據(jù)比較示例的制造超導(dǎo)導(dǎo)線的方法中的一個(gè)過程進(jìn)行說明的示意性橫截面圖。

圖9是根據(jù)實(shí)施例2的超導(dǎo)導(dǎo)線的示意性橫截面圖。

具體實(shí)施方式

[本公開要解決的技術(shù)問題]

本公開的目的是提供一種具有高臨界電流I_c的超導(dǎo)導(dǎo)線及其制造方法。

[本公開的有益效果]

根據(jù)上述超導(dǎo)導(dǎo)線，可提供具有高臨界電流I_c的超導(dǎo)導(dǎo)線。根據(jù)上述制造超導(dǎo)導(dǎo)線的方法，可制造具有高臨界電流I_c的超導(dǎo)導(dǎo)線。

[實(shí)施例的描述]

首先，將以列表對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述。

(1)根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的超導(dǎo)導(dǎo)線包括：金屬襯底、在金屬襯底上的中間層、在中間層上的超導(dǎo)材料層、以及在超導(dǎo)材料層上的覆蓋層。覆蓋層包括在超導(dǎo)材料層上的保護(hù)層。由中間層和超導(dǎo)材料層所形成的第一堆疊具有1.1V或更大的擊穿電壓。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的超導(dǎo)導(dǎo)線具有高臨界電流I_c。

(2)在根據(jù)上述(1)的超導(dǎo)導(dǎo)線中，超導(dǎo)導(dǎo)線的中心區(qū)域中的保護(hù)層與金屬襯底之間在寬度方向上的最小間隙可以是第一堆疊在超導(dǎo)導(dǎo)線的厚度方向上的厚度的95％或更大且100％或更小。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的超導(dǎo)導(dǎo)線具有高臨界電流I_c。