[發明專利]自對準通孔

有效

• 申請號: 201680091230.0
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN110024103B
• 公開（公告）日: 2023-06-30
• 發明（設計）人: J.M.布萊克維爾;K.L.林;R.L.布里斯托爾;R.霍拉尼
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 臧永杰;閆小龍

1.一種集成電路，包括：

具有電介質、第一導電互連件和第二導電互連件的第一層；

設置在所述第一層上方并具有第三導電互連件的第二層；

在所述第二導電互連件和所述第三導電互連件之間的導電通孔；

在通孔和所述第一導電互連件之間的電介質插塞；以及

所述電介質插塞上的電介質蓋，其中所述電介質蓋具有基本上圓頂的形狀。

2.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述電介質蓋包括選擇性生長材料。

3.根據權利要求1-2中的任一項所述的集成電路，其中所述電介質蓋包括鉿的氧化物。

4.根據權利要求1-2中的任一項所述的集成電路，其中所述電介質蓋包括金屬氧化物。

5.一種集成電路管芯，包括：

具有電介質、第一導電互連件和第二導電互連件的第一層；

具有第三導電互連件的第二層；

在所述第二導電互連件和所述第三導電互連件之間的導電通孔；

在所述第一層和所述第二層之間的硬掩模；

在所述硬掩模和所述導電通孔之間的電介質插塞；以及

所述電介質插塞上的電介質蓋，其中所述電介質蓋具有基本上圓頂的形狀。

6.根據權利要求5所述的集成電路管芯，其中所述電介質蓋用添加劑擴散以產生洗滌或蝕刻選擇性。

7.根據權利要求5所述的集成電路管芯，其中所述電介質蓋包括鉿的氧化物。

8.根據權利要求5所述的集成電路管芯，其中所述電介質蓋包括金屬氧化物。

9.根據權利要求5-8中的任一項所述的集成電路管芯，其中所述集成電路管芯是片上系統。

10.根據權利要求5-8中的任一項所述的集成電路管芯，其中所述電介質插塞具有與所述電介質蓋不同的材料成分。

11.一種半導體制造方法，包括：

沉積并圖案化具有電介質、第一導電互連件和第二導電互連件的第一層；

沉積具有第三導電互連件的第二層；

在所述第一層和所述第二層之間構造導電通孔，以將所述第二導電互連件電耦合到所述第三導電互連件；

構造垂直設置在所述第一層和第二層之間并且被設置成防止通孔與所述第一導電互連件電短路的電介質插塞；以及

在所述電介質插塞上構造電介質蓋，其中構造電介質蓋包括將添加劑擴散到所述電介質插塞中并旋涂涂覆下一層，其中所述添加劑擴散到下一層的一部分中。

12.根據權利要求11所述的方法，其中構造電介質蓋包括在所述電介質插塞上方選擇性地生長蓋電介質。

13.根據權利要求12所述的方法，其中所述蓋電介質是鉿的氧化物。

14.根據權利要求12所述的方法，其中所述蓋電介質是金屬氧化物。