[發(fā)明專利]具有晶片級有源管芯和外部管芯底座的半導(dǎo)體封裝

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201680091229.8
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN109983570A
• 公開（公告）日: 2019-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: V.V.梅塔;E.J.李;S.加內(nèi)桑;D.馬利克;R.L.桑克曼
• 申請（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/00;H01L23/525;H01L23/48;H01L21/768
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 高葦娟;申屠偉進

1.一種半導(dǎo)體封裝，包括：

具有從頂部表面延伸到底部表面的晶片通孔的硅晶片；

頂部表面上的第一焊料凸塊和第二焊料凸塊；

安裝在硅晶片上的有源管芯，其中有源管芯通過第一焊料凸塊而附接到硅晶片；以及

橫向圍繞有源管芯并且在頂部表面之上的環(huán)氧樹脂層，其中環(huán)氧樹脂層包括從有源管芯橫向向外貫穿環(huán)氧樹脂層的孔，并且其中第二焊料凸塊通過所述孔暴露。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中第一焊料凸塊和第二焊料凸塊在平行于頂部表面的橫向平面內(nèi)共面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，其中有源管芯包括上管芯表面，其中環(huán)氧樹脂層包括上環(huán)氧樹脂表面，并且其中上管芯表面和上環(huán)氧樹脂表面在從所述橫向平面豎直偏移的第二橫向平面內(nèi)共面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中第一焊料凸塊小于第二焊料凸塊。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝，其中第一焊料凸塊是經(jīng)電鍍的焊料凸塊，并且其中第二焊料凸塊是經(jīng)頂側(cè)球附接的焊料凸塊。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，還包括：

安裝在底部表面上的重分布層，其中重分布層包括多個重分布線，并且其中重分布線中的至少一個被電氣連接到晶片通孔；以及

重分布層上的多個焊料球，其中所述多個焊料球被電氣連接到所述多個重分布線。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中硅晶片是具有一個或多個集成電路的有源硅晶片。

8.一種半導(dǎo)體封裝組件，包括：

半導(dǎo)體封裝，其包括

具有從頂部表面延伸到底部表面的晶片通孔的硅晶片，

頂部表面上的第一焊料凸塊和第二焊料凸塊，

安裝在硅晶片上的有源管芯，其中有源管芯通過第一焊料凸塊而附接到硅晶片，以及

橫向圍繞有源管芯并且在頂部表面之上的環(huán)氧樹脂層，其中環(huán)氧樹脂層包括從有源管芯橫向向外貫穿環(huán)氧樹脂層的孔，并且其中第二焊料凸塊通過所述孔暴露；以及

具有通過所述孔而電氣連接到第二焊料凸塊的I/O接觸件的外部存儲器管芯。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝組件，其中第一焊料凸塊和第二焊料凸塊在平行于頂部表面的橫向平面內(nèi)共面。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝組件，其中有源管芯包括上管芯表面，其中環(huán)氧樹脂層包括上環(huán)氧樹脂表面，并且其中上管芯表面和上環(huán)氧樹脂表面在從所述橫向平面豎直偏移的第二橫向平面內(nèi)共面。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝組件，其中第一焊料凸塊小于第二焊料凸塊。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝組件，其中第一焊料凸塊是經(jīng)電鍍的焊料凸塊，并且其中第二焊料凸塊是經(jīng)頂側(cè)球附接的焊料凸塊。

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝組件，還包括：

安裝在底部表面上的重分布層，其中重分布層包括多個重分布線，并且其中重分布線中的至少一個被電氣連接到晶片通孔；以及

重分布層上的多個焊料球，其中所述多個焊料球被電氣連接到所述多個重分布線。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝組件，還包括具有多個接觸墊的印刷電路板，其中所述多個焊料球安裝在所述多個接觸墊上。

15.一種方法，包括：

在硅晶片的頂部表面上形成第一焊料凸塊和第二焊料凸塊；

通過第一焊料凸塊將有源管芯附接到頂部表面；

橫向圍繞有源管芯并且在第二焊料凸塊之上沉積環(huán)氧樹脂層；以及

在第二焊料凸塊上方在環(huán)氧樹脂層中形成孔，其中第二焊料凸塊通過所述孔暴露。